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申请/专利权人：日产化学株式会社
申请日：2021-06-11
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118295212A
主分类号：G03F7/11
分类号：G03F7/11;H01L21/033
优先权：["20200612 JP 2020-102046"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：提供能够没有孔隙空隙地埋入微细化发展的半导体基板上的微细孔，在膜形成时的膜烧成时产生的升华物少的抗蚀剂下层膜形成用组合物、和兼具在半导体基板加工中作为对湿蚀刻药液的保护膜的功能的药液耐性保护膜组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物或保护膜形成用组合物，其包含：下述式1所示的、理论分子量为999以下的化合物；以及有机溶剂。[在式1中，Z1包含含氮杂环，U为下述式2所示的一价有机基，p表示2～4的整数。][在式2中，R1表示碳原子数1～4的亚烷基，A1～A3各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，X表示‑COO‑、‑OCO‑、‑O‑、‑S‑和‑NRa‑中的任一者，Ra表示氢原子或甲基。Y表示直接键合或可以被取代的碳原子数1～4的亚烷基，R2、R3和R4各自为氢原子、或者可以被取代的碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基，R5为氢原子或羟基，n表示整数0或1，m1和m2各自独立地表示整数0或1，＊表示向Z1结合的部分]
主权项：1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：下述式1所示的、理论分子量为999以下的化合物；以及有机溶剂， 在式1中，Z1包含含氮杂环，U为下述式2所示的一价有机基，p表示2～4的整数； 在式2中，R1表示碳原子数1～4的亚烷基，A1～A3各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，X表示-COO-、-OCO-、-O-、-S-和-NRa-中的任一者，Ra表示氢原子或甲基；Y表示直接键合或可以被取代的碳原子数1～4的亚烷基，R2、R3和R4各自为氢原子、或者可以被取代的碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基，R5为氢原子或羟基，n表示整数0或1，m1和m2各自独立地表示整数0或1，＊表示向Z1结合的部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日产化学株式会社 包含二醇结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物
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