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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：本公开涉及用于改进读取干扰的下层级字线上的低通过电压。存储器装置可包含与控制逻辑耦合的存储器阵列。所述控制逻辑对布置于一或多个层级中的多个存储器单元中的一或多个存储器单元启动读取操作。所述控制逻辑能够进一步引起读取电压在所述读取操作期间被施加到耦合到所述一或多个存储器单元的选定字线。所述控制逻辑能够引起第一电压在所述读取操作期间被施加到耦合到所述一或多个层级中的第一层级中的存储器单元的第一组未选定字线。所述控制逻辑能够引起第二电压在所述读取操作期间被施加到耦合到所述一或多个层级中的第二层级中的存储器单元的第二组未选定字线，其中所述第二电压小于所述第一电压。
主权项：1.一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括布置于一或多个层级中的多个存储器单元；及控制逻辑，其与所述存储器阵列可操作地耦合，以执行包括以下的操作：对所述多个存储器单元中的一或多个存储器单元启动读取操作；引起读取电压在所述读取操作期间被施加到耦合到所述一或多个存储器单元的选定字线；引起第一通过电压在所述读取操作期间被施加到耦合到所述一或多个层级中的第一层级中的存储器单元的第一组未选定字线；及引起第二通过电压在所述读取操作期间被施加到耦合到所述一或多个层级中的第二层级中的存储器单元的第二组未选定字线，其中所述第二通过电压小于所述第一通过电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 用于改进读取干扰的下层级字线上的低通过电压
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