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申请/专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日：2023-01-04
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299473A
主分类号：H01L33/00
分类号：H01L33/00;H01L33/24;H01L21/308
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本申请涉及一种外延层刻蚀方法。该外延层刻蚀方法包括：提供一外延层，外延层具有相对设置的顶面与底面，在沿着底面指向顶面的方向上，外延层依次包括第一半导体层、有源层及第二半导体层；在第二半导体层远离有源层的一侧覆盖一层掩膜；在掩膜的掩护下对外延层进行刻蚀，以在外延层的顶面与底面之间形成第一倾斜侧面；以及在掩膜的掩护下继续对外延层进行刻蚀，以形成斜率与第一倾斜侧面不同的第二倾斜侧面，第二倾斜侧面自第一倾斜侧面靠近底面的一侧向所述底面延伸。以增加发光芯片的发光面积，提高发光芯片的发光亮度。
主权项：1.一种外延层刻蚀方法，其特征在于，包括：提供一外延层，所述外延层具有相对设置的顶面与底面，在沿着所述底面指向所述顶面的方向上，所述外延层依次包括第一半导体层、有源层及第二半导体层；在所述第二半导体层远离所述有源层的一侧覆盖一层掩膜；在所述掩膜的掩护下对所述外延层进行刻蚀，以在所述外延层的所述顶面与所述底面之间形成第一倾斜侧面；以及在所述掩膜的掩护下继续对所述外延层进行刻蚀，以形成斜率与所述第一倾斜侧面不同的第二倾斜侧面，所述第二倾斜侧面自所述第一倾斜侧面靠近所述底面的一侧向所述底面延伸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种外延层刻蚀方法
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