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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本申请公开了一种提高组合套刻量测精确度的方法，包括：S1：提供一形成有组合套刻标记的晶圆，所述组合套刻标记包括至少三层套刻图形；S2：分别对所述晶圆中的组合套刻标记进行N次聚焦抓取，以得到当层套刻数据和前层套刻数据，所述N等于所述组合套刻标记中套刻图形的层数；S3：基于所述当层套刻数据和前层套刻数据，得到组合套刻标记数据。本申请通过上述方案，可以提高组合套刻标记量测的精确度。
主权项：1.一种提高组合套刻量测精确度的方法，其特征在于，包括：S1：提供一形成有组合套刻标记的晶圆，所述组合套刻标记包括至少三层套刻图形；S2：分别对所述晶圆中的组合套刻标记进行N次聚焦抓取，以得到当层套刻数据和前层套刻数据，所述N等于所述组合套刻标记中套刻图形的层数；S3：基于所述当层套刻数据和前层套刻数据，得到组合套刻标记数据。
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百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种提高组合套刻量测精确度的方法
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