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申请/专利权人：重庆万国半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及半导体器件制造领域，公开了一种套刻标记结构、光罩、套刻标记方法及套刻偏移检测方法，包括第一套刻标记图形和第二套刻标记图形，所述第一套刻标记图形包括四组子套刻标记，所述第二套刻标记图形包括四组套刻标记，所述第二套刻标记图形的投影面积位于所述第一套刻标记图形的投影面积的范围内；各组所述子套刻标记均呈方形结构，且各组所述子套刻标记均包括沿宽度方向等间距分布的多个子套刻被对准标记。通过将各组子套刻标记制成多个子套刻被对准标记，以在保证其能够正常进行套刻量测的同时，保证子套刻标记更容易被填充满，从而降低填充难度，使标记在后续工艺时不会被破坏，使标记在研磨时压力相对分布均匀，同时，减少甚至避免标记填充研磨后的多晶硅残留，降低量测异常率。
主权项：1.一种套刻标记结构，其特征在于：包括第一套刻标记图形和第二套刻标记图形，所述第一套刻标记图形包括四组子套刻标记，所述第二套刻标记图形包括四组套刻标记，所述第二套刻标记图形的投影位于所述第一套刻标记图形的投影的范围内；各组所述子套刻标记均呈方形结构，且各组所述子套刻标记均包括沿宽度方向等间距分布的多个子套刻被对准标记。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆万国半导体科技有限公司 套刻标记结构、光罩、套刻标记方法及套刻偏移检测方法
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