申请/专利权人：安徽旭合新能源科技有限公司

申请日：2024-04-16

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN118299468A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L21/78;H01L31/068;B23K26/38;B23K26/402

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开

摘要：本发明公开了一种新型边缘钝化的TOPCon电池、制备方法及装置，涉及晶体硅太阳电池制造技术领域，包括以下步骤：S1：制绒；S2：硼扩散；S3：SE激光掺杂；S4：氧化；S5：碱抛；S6：Poly非晶硅掺杂工序；S7：退火；S8：激光划片；S9：RCA清洗；S10：ALD沉积；S11：正面PECVD镀膜；S12：背面PECVD镀膜；S13：丝网印刷；S14：测试。本发明在制程RCA清洗工序前增加激光划片切割硅片，然后再进行RCA清洗，通过在电池端进行切割并在切割面上做边缘钝化，减少切割面的界面复合，提高电池和组件的功率，组件功率可提升至5.8W，从而改善组件切割损失及CTM偏低的问题。

主权项：1.一种新型边缘钝化的TOPCon电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：制绒：在硅片的正面形成绒面；S2：硼扩散：在硅片的正面形成硼掺杂层，形成电池片的PN结的发射级；S3：SE激光掺杂：在硼掺杂面增加SE激光掺杂，形成选择性重掺，未SE的区域轻掺；S4：氧化：在硼扩散面的表面再次推结，并且表面生长BSG层；S5：碱抛：在硅片的背面进行碱抛光；S6：Poly非晶硅掺杂工序：在硅片的背面进行非晶硅原位掺杂形成磷掺杂非晶硅层；S7：退火：磷掺杂非晶硅层退火形成磷掺杂多晶硅层；S8：激光划片：将硅片进行激光划片，分成2分片或多分片；划片后的硅片通过制备装置上的第一输送机构1和第二输送机构2进行输送，在输送的过程中通过制备装置上的压紧组件对硅片进行固定，并通过折断组件对硅片进行折断；S9：RCA清洗：对硅片的正面绕镀的poly硅进行去除和正背面的BSG层和PSG层进行清洗去除，并且对激光切割面进行清洗；S10：ALD沉积：对硅片的正面硼扩面进行ALD原子沉积氧化铝镀膜；S11：正面PECVD镀膜：对硅片正面进行PECVD沉积多层钝化减反射钝化膜；S12：背面PECVD镀膜：对硅片背面进行PECVD沉积多层钝化减反射钝化膜；S13：丝网印刷：对硅片的正背面进行金属化印刷形成正负电极；S14：测试：对TOPCon电池电性能、EL及外观进行测试分选。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽旭合新能源科技有限公司 一种新型边缘钝化的TOPCon电池、制备方法及装置

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD