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申请/专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日：2024-03-29
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118292117A
主分类号：C30B35/00
分类号：C30B35/00;C30B29/42
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明涉及砷化镓单晶生长技术领域，公开了一种砷化镓生长装置，包括炉体、底座、散热棒和调节机构；所述炉体具有炉腔；所述炉体连接所述底座顶部，所述底座开设有限位孔；所述散热棒穿设所述限位孔，所述散热棒上端位于所述炉腔内；所述调节机构包括连接件、支撑件和升降调节件，所述连接件连接于所述底座底部，所述散热棒下端抵接于所述支撑件的顶部，所述升降调节件能够驱动所述支撑件上升或下降，本发明所提供的砷化镓生长装置通过限位孔和调节机构，能够调节散热棒伸入炉腔内的长度并能够确保散热棒不出现头尾倾斜现象进而影响散热均匀性的现象，从而能够提高炉腔的温场稳定性，有利于提高砷化镓单晶的成晶率。
主权项：1.一种砷化镓生长装置，其特征在于，包括：炉体，所述炉体具有炉腔；底座，所述炉体连接于所述底座的顶部，所述底座开设有与所述炉腔相连通的限位孔；散热棒，所述散热棒穿设于所述限位孔，所述散热棒的上端位于所述炉腔内；调节机构，所述调节机构包括连接件、支撑件和升降调节件，所述连接件连接于所述底座的底部，所述支撑件位于所述连接件的下方，所述散热棒的下端抵接于所述支撑件的顶部，所述升降调节件分别连接所述连接件和所述支撑件并能够驱动所述支撑件沿竖直方向上升或下降。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东先导微电子科技有限公司 一种砷化镓生长装置
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