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申请/专利权人:中国科学院半导体研究所
摘要:本公开实施例提供了一种氮化镓的制备方法及氮化镓基器件,该制备方法包括:提供衬底;在上述衬底上生长低温成核层;以及在反应室的温度处于1000℃~1100℃且上述反应室的压力处于100Torr~300Torr的情况下,在上述低温成核层上生长氮化镓层,得到氮化镓。
主权项:1.一种氮化镓的制备方法,包括:提供衬底;在反应室的温度处于525℃~600℃的情况下,在所述衬底上生长低温成核层,所述低温成核层的材料为氮化铝,所述低温成核层的生长厚度范围为0.025~0.04μm,以及在反应室的温度处于1020℃~1040℃且所述反应室的压力处于250Torr~275Torr的情况下,在所述低温成核层上生长氮化镓层,得到所述氮化镓,氮化镓层的生长厚度大于1μm,氮化镓层中的碳杂质浓度低于1017cm-3。
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权利要求:
百度查询: 中国科学院半导体研究所 一种氮化镓的制备方法及氮化镓基器件
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