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申请/专利权人：江苏易矽科技有限公司;江苏捷捷微电子股份有限公司

摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体说是一种电容可调的SGTIGBT结构及制备方法。它包括半导体衬底，半导体衬底的正面有源区内设置有若干个元胞。元胞中至少有一个深沟槽作为SGTIGBT的栅极，深沟槽两侧有离子注入区与第一接触孔结构。其特点是，元胞的深沟槽下部有第一多晶硅填充区，深沟槽的上部含有三个填充多晶硅的浅沟槽。第一多晶硅填充区用于与IGBT的发射极相连，浅沟槽中的多晶硅用于与IGBT的栅极或发射极相连。采用该结构实现了绝缘栅双极型晶体管输入电容、反馈电容的调节，也实现沟道密度的调节。

主权项：1.一种电容可调的SGTIGBT结构的制备方法，其特征在于，所述IGBT结构包括具有第一导电类型的半导体衬底，半导体衬底的正面有源区内设置有若干个元胞；所述元胞中至少有一个深沟槽作为SGTIGBT的栅极，深沟槽两侧有离子注入区与第一接触孔；所述元胞的深沟槽下部有第一多晶硅填充区，深沟槽的上部含有三个填充多晶硅的浅沟槽，浅沟槽间呈依次并排布置，第一多晶硅填充区与深沟槽侧壁之间、第一多晶硅填充区和浅沟槽内多晶硅之间、浅沟槽内多晶硅与深沟槽侧壁之间、浅沟槽内多晶硅之间均有氧化物隔离；所述第一多晶硅填充区用于与IGBT的发射极相连；所述浅沟槽中的多晶硅用于与IGBT的栅极或发射极相连；所述离子注入区包括位于深沟槽以外的第二导电类型的第一注入区和第一导电类型的第二注入区，第一注入区的深度小于所述浅沟槽的深度，第二注入区深度小于第一注入区深度，所述第一接触孔深度贯穿第二注入区，且不超过第一注入区，第一接触孔用于与IGBT的发射极相连；所述浅沟槽中的多晶硅，至少有一个在深沟槽外侧位置的浅沟槽中的多晶硅用于连接IGBT的栅极，另一个在深沟槽外侧位置的浅沟槽中的多晶硅用于连接IGBT栅极或发射极，在深沟槽中间位置的浅沟槽中的多晶硅用于连接IGBT的发射极；所述IGBT的正面沟槽工艺如下：第一步，腐蚀出深沟槽；第二步，在深沟槽的侧壁氧化形成氧化物；第三步，在深沟槽内填充多晶硅，并且腐蚀去除多余多晶硅，形成第一多晶硅填充区；第四步，去除第一多晶硅填充区上方的深沟槽侧壁的氧化物；第五步，重新进行栅极氧化，使第一多晶硅填充区上表面和第一多晶硅填充区上方的深沟槽侧壁氧化形成氧化物；第六步，向深沟槽中二次填充多晶硅；第七步，根据浅沟槽的位置设计，通过光刻板遮挡去除多余多晶硅；第八步，再次氧化形成相邻两个浅沟槽间的氧化物即可完成IGBT的正面沟槽工艺。

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