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申请/专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
摘要：本申请实施例提供了一种SGT‑MOSFET器件的制备方法及SGT‑MOSFET器件，增加一次各向同性刻蚀使屏蔽栅上表面尖角去除，形成平滑的多晶硅间隔氧化层的形貌，再次淀积多晶硅，最终形成栅极多晶硅，本申请由于将屏蔽栅顶部进行刻蚀后，在屏蔽栅顶部形成的氧化层会比较平滑，不会形成电荷积聚，所以通过本申请提供的制备工艺制备的器件的电性能比较稳定，器件的可靠性比较高。
主权项：1.一种SGT-MOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括：在外延层上刻蚀沟槽；在所述沟槽侧壁生长一层第一氧化层；在所述沟槽中沉积第一多晶硅；对所述第一多晶硅进行刻蚀以便在所述沟槽中形成屏蔽栅；去除屏蔽栅上部沟槽侧壁部分第一氧化层以在所述沟槽侧壁预留预设厚度第一氧化层，所述屏蔽栅的顶部高于所述沟槽侧壁的第一氧化层的顶部；对所述屏蔽栅顶部进行刻蚀，且刻蚀完成后的所述屏蔽栅顶部高于所述沟槽侧壁的第一氧化层的顶部；完全去除所述沟槽侧壁预留的预设厚度第一氧化层；在所述沟槽侧壁表面和屏蔽栅顶部表面生长第二氧化层；在所述沟槽中沉积第二多晶硅以便形成栅极多晶硅。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海韦尔半导体股份有限公司 一种SGT-MOSFET器件的制备方法及SGT-MOSFET器件
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