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申请/专利权人：派德芯能半导体(上海)有限公司
摘要：本发明公开了一种高导通低损耗的IGBT器件结构及其制备方法，IGBT器件结构包括从上到下依次设置的发射极金属层、介质层、N+源区、P型基区、漂移区、衬底以及集电极层，还包括从上到下贯穿所述N+源区和P型基区且伸入所述漂移区的沟槽栅；其中，所述漂移区内于相邻所述沟槽栅之间设置有绝缘区，所述衬底或所述集电极层内设置有若干N型掺杂区。本发明的高导通低损耗的IGBT器件结构及其制备方法，其能够在降低器件的导通压降Vcesat，提高导通效率的同时，减小拖尾电流，降低关断损耗Eoff。
主权项：1.一种高导通低损耗的IGBT器件结构，其特征在于，包括从上到下依次设置的发射极金属层、介质层、N+源区、P型基区、漂移区、衬底以及集电极层，还包括从上到下贯穿所述N+源区和P型基区且伸入所述漂移区的沟槽栅；其中，所述漂移区内于相邻所述沟槽栅之间设置有绝缘区，所述衬底或所述集电极层内设置有若干N型掺杂区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 派德芯能半导体(上海)有限公司 高导通低损耗的IGBT器件结构及其制备方法
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