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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种低导通电阻的SGT器件，包括N+的衬底，在衬底表面形成有N‑的外延层；由H+离子注入在外延层的底部或外延层的底部以及部分衬底上，形成的间隔分布的离子注入区，利用退火将离子注入区形成的平滑过渡的N型掺杂区，其作为场截止层；在外延层上形成有第一沟槽以及位于第一沟槽侧方处的第二沟槽，第一、二沟槽由外延层的上表面延伸至场截止层的上方；在第一、二沟槽中形成第一电介质层和第一栅极多晶硅层，其中第一电介质层和第一栅极多晶硅层位于第一沟槽的下端、以及位于第二沟槽中；第二电介质层，其形成在第一、二沟槽中的第一栅极多晶硅层上。本发明引入场截止层可以在不影响BV击穿电压的情况下，有效降低器件的导通电阻。
主权项：1.一种低导通电阻的SGT器件，其特征在于，包括：N+的衬底，在所述衬底表面形成有N-的外延层；由H+离子注入在所述外延层的底部或所述外延层的底部以及部分所述衬底上，形成的间隔分布的离子注入区，利用退火将离子注入区形成的平滑过渡的N型掺杂区，其作为场截止层；在所述外延层上形成有第一沟槽以及位于所述第一沟槽侧方处的第二沟槽，所述第一、二沟槽由所述外延层的上表面延伸至所述场截止层的上方；在所述第一、二沟槽中形成第一电介质层和第一栅极多晶硅层，其中所述第一电介质层和所述第一栅极多晶硅层位于所述第一沟槽的下端、以及位于所述第二沟槽中；第二电介质层，其形成在所述第一、二沟槽中的所述第一栅极多晶硅层上；第三电介质层，其形成在第一沟槽中以及所述外延层上；填充剩余所述第一沟槽的第二栅极多晶硅层；在所述外延层上利用离子注入形成的体区和源区；在所述衬底上形成有绝缘介质层，以及贯通所述绝缘介质层的接触孔；填充所述接触孔的导电金属；源端、体区端金属线以及漏端金属线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 上海华虹宏力半导体制造有限公司 低导通电阻的SGT器件及其制造方法
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