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申请/专利权人：英诺赛科(珠海)科技有限公司
申请日：2024-04-10
公开（公告）日：2024-07-02
公开（公告）号：CN118016710B
主分类号：H01L29/778
分类号：H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.02#授权;2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开
摘要：本发明公开了一种GaNHEMT器件及其制作方法。包括：依次层叠设置的衬底、成核层、凹陷调整层、缓冲层、沟道层和势垒层；其中，凹陷调整层和成核层采用的材料相同，成核层的厚度小于或等于第一设定值，第一设定值小于10nm；凹陷调整层的厚度大于或等于100nm，且小于200nm。本发明能够可以改善GaNHEMT器件的凹陷，减少后续加工工艺的复杂度，防止由于凹形翘曲导致的GaNHEMT器件边缘生成裂纹，同时避免了裂纹过长导致破片的风险。
主权项：1.一种GaNHEMT器件的制作方法，其特征在于，包括：在衬底表面依次生长成核材料层和凹陷调整材料层；其中，所述凹陷调整材料层和所述成核材料层采用的材料相同，所述成核材料层的厚度小于或等于第一设定值，所述成核材料层向邻近所述衬底的方向凹陷，所述凹陷调整材料层向远离所述衬底的方向外凸；所述第一设定值小于10nm；所述凹陷调整材料层的厚度大于或等于100nm，且小于200nm；在凹陷调整材料层表面依次生长缓冲材料层、沟道材料层和势垒材料层；对所述成核材料层、所述凹陷调整材料层、所述缓冲材料层、所述沟道材料层和所述势垒材料层进行降温处理，分别形成成核层、凹陷调整层、缓冲层、沟道层和势垒层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英诺赛科(珠海)科技有限公司 一种GaN HEMT器件及其制作方法
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