申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2020-07-09

公开（公告）日：2024-07-02

公开（公告）号：CN112216331B

主分类号：G11C16/34

分类号：G11C16/34;G11C16/30

优先权：["20190712 US 16/510,454"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.02#授权;2021.01.29#实质审查的生效;2021.01.12#公开

摘要：本申请涉及使用具有时变错误率的存储器的方向错误统计的自适应读电压调节。存储器系统中的处理装置识别存储器组件的多个写到读延迟范围中的第一范围，其中所述第一范围表示多个写到读延迟时间且具有用于对所述存储器组件的具有落入所述第一范围内的写到读延迟时间的片段执行读操作的关联读电压电平。所述处理装置进一步识别在所述第一范围的第一端处的第一组所述多个写到读延迟时间，并且确定对应于所述第一组所述多个写到读延迟时间的所述存储器组件的第一方向错误率以及对应于所述第一组所述多个写到读延迟时间的所述存储器组件的第二方向错误率。所述处理装置确定所述第一方向错误率与所述第二方向错误率之间的对应关系是否满足第一阈值标准，并且响应于所述第一方向错误率与所述第二方向错误率之间的所述对应关系不满足所述第一阈值标准，修改与所述第一范围关联的所述读电压电平。

主权项：1.一种系统，其包括：存储器组件；及处理装置，其可操作地与所述存储器组件耦合，以：识别所述存储器组件的多个写到读延迟范围中的第一范围，其中所述第一范围表示多个写到读延迟时间且具有用于对所述存储器组件的具有落入所述第一范围内的写到读延迟时间的片段执行读操作的关联读电压电平；识别在所述第一范围的第一端处的第一组所述多个写到读延迟时间；确定对应于所述第一组所述多个写到读延迟时间的所述存储器组件的第一方向错误率以及对应于所述第一组所述多个写到读延迟时间的所述存储器组件的第二方向错误率，所述第一方向错误率与在第一状态中被编程且被错误地读取为第二状态的位的数目有关，且所述第二方向错误率与在所述第二状态中被编程且被错误地读取为所述第一状态的位的数目有关；确定所述第一方向错误率与所述第二方向错误率之间的对应关系是否满足第一阈值标准；且响应于所述第一方向错误率与所述第二方向错误率之间的所述对应关系不满足所述第一阈值标准，修改与所述第一范围关联的所述读电压电平。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 使用具有时变错误率的存储器的方向错误统计的自适应读电压调节

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