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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：提供了一种存储器装置和制造存储器装置的方法。该存储器装置包括：晶圆，其包括芯片区域和围绕芯片区域的边缘区域；层叠结构，其包括在芯片区域上方交替地层叠的多个绝缘层和多个导电层；多个沟道结构，其设置在层叠结构中；第一狭缝，其穿透多个绝缘层和多个导电层；上绝缘层，其设置在边缘区域上方；以及多个第二狭缝，其形成在上绝缘层的一部分中。
主权项：1.一种存储器装置，该存储器装置包括：晶圆，该晶圆包括芯片区域和围绕所述芯片区域的边缘区域；层叠结构，该层叠结构包括在所述芯片区域上方交替地层叠的多个绝缘层和多个导电层；多个沟道结构，所述多个沟道结构设置在所述层叠结构中；第一狭缝，该第一狭缝穿透所述多个绝缘层和所述多个导电层；上绝缘层，该上绝缘层设置在所述边缘区域上方；以及多个第二狭缝，所述多个第二狭缝形成在所述上绝缘层的一部分中。
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百度查询： 爱思开海力士有限公司 存储器装置和制造存储器装置的方法
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