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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种只读存储器ROM器件包括互补场效应晶体管CFET器件，该CFET器件具有第一类型的第一半导体器件和与第一类型不同的第二类型的第二半导体器件。第二半导体器件在第一半导体器件上方或下方。第一字线电耦合到第一半导体器件的栅极。第二字线电耦合到第二半导体器件的栅极。至少一个位线电耦合到第一半导体器件的第一源极漏极或第二半导体器件的第一源极漏极中的至少一个。本申请的实施例还提供了操作存储器器件的方法。
主权项：1.一种只读存储器器件，包括：互补场效应晶体管器件，所述互补场效应晶体管器件包括：第一类型的第一半导体器件；和与所述第一类型不同的第二类型的第二半导体器件，所述第二半导体器件位于所述第一半导体器件上方或下方；第一字线，电耦合到所述第一半导体器件的栅极；第二字线，电耦合到所述第二半导体器件的栅极；以及至少一个位线，电耦合到以下之中的至少一个：所述第一半导体器件的第一源极漏极，或者所述第二半导体器件的第一源极漏极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 只读存储器器件及操作存储器器件的方法
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