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申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学
摘要：本申请涉及一种SRAM物理不可克隆函数电路及设备。包括供电控制模块、第一控制模块、单端口SRAM存储器、数据位加法器模块、使能位加法器模块、多位选择器模块和第二控制模块。在PUF控制信号有效时，通过供电控制模块使单端口SRAM存储器能够自动化的进行多轮上断电操作，数据位加法器模块对单端口SRAM存储器的输出值进行累加，使能位加法器模块产生累加次数信号，多位选择器模块根据累加次数信号、单端口SRAM存储器的输出及使能位加法器模块的输出物理不可克隆随机值。自动化的多次累加SRAM物理不可克隆函数电路的随机输出值，大大提高了随机输出数据的稳定性。
主权项：1.一种SRAM物理不可克隆函数电路，其特征在于，包括供电控制模块、第一控制模块、单端口SRAM存储器、数据位加法器模块、使能位加法器模块、多位选择器模块和第二控制模块；所述供电控制模块用于根据PUF控制信号和时钟信号，输出供电信号，所述第一控制模块用于根据片选使能信号、读写使能信号和所述PUF控制信号，输出片选信号和读写信号，所述单端口SRAM存储器用于根据输入数据、所述供电信号、所述片选信号、所述读写信号、所述时钟信号和地址信号输出特定轮各初始随机值，所述数据位加法器模块用于根据数据输出使能信号、所述时钟信号、所述PUF控制信号，分别对每轮的各所述初始随机值进行累加并输出各累加随机值，所述使能位加法器模块用于根据所述数据输出使能信号、所述时钟信号和所述PUF控制信号，输出累加次数信号，所述多位选择器模块用于根据各所述累加随机值、所述累加次数信号、累加控制信号分别输出物理不可克隆随机值和所述数据输出使能信号，所述第二控制模块用于根据所述PUF控制信号选择输出各所述初始随机值或所述物理不可克隆随机值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 SRAM物理不可克隆函数电路及设备
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