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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请公开了一种改善SRAM器件局部失配问题的方法，包括：提供一半导体衬底，半导体衬底上形成有栅极结构；对半导体衬底进行第一离子注入工艺；对半导体衬底进行halo离子注入，形成halo离子注入区；对半导体衬底进行LDD注入工艺，形成LDD离子注入区，LDD离子注入区位于栅极结构两侧并与halo离子注入区邻接；其中，第一离子注入工艺用于在需要形成halo离子注入区和LDD离子注入区的半导体衬底区域中形成非晶层。本申请通过上述方案，能够改善静态随机存储器局部失配的问题，提高良率。
主权项：1.一种改善SRAM器件局部失配问题的方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；对所述半导体衬底进行第一离子注入工艺；对所述半导体衬底进行halo离子注入，形成halo离子注入区；对所述半导体衬底进行LDD注入工艺，形成LDD离子注入区，所述LDD离子注入区位于所述栅极结构两侧并与所述halo离子注入区邻接；其中，所述第一离子注入工艺用于在需要形成所述halo离子注入区和LDD离子注入区的半导体衬底区域中形成非晶层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 改善SRAM器件局部失配问题的方法
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