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申请/专利权人：上海华大九天信息科技有限公司
摘要：一种SRAM模型提取方法，包括以下步骤：在不同量测温度下，基于SRAM单元的单管量测数据，分别提取单管模型；基于所述单管模型，进行SRAM单元性能仿真，分别将读电流、静态噪声容限、写噪声容限、静态漏电流和SRAM单元特性测试数据对比；若读电流的误差不满足预设条件，则调整下拉晶体管、传输晶体管开态电流；若静态噪声容限的误差或写噪声容限的误差不满足预设条件，则调整上拉晶体管阈值电压；若静态漏电流的误差不满足预设条件，则调整下拉晶体管、传输晶体管、上拉晶体管关态电流；直到所述读电流、所述静态噪声容限、所述写噪声容限、以及所述静态漏电流都满足预设条件，完成SRAM模型提取。本发明的方法能够快速完成SRAM单元性能优化，提高SRAM建模效率。
主权项：1.一种SRAM模型提取方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1在不同量测温度下，基于SRAM单元的单管量测数据，分别提取单管模型；步骤2基于所述单管模型，进行SRAM单元性能仿真，分别将读电流、静态噪声容限、写噪声容限、静态漏电流和SRAM单元特性测试数据对比；步骤3若读电流的误差不满足预设条件，则调整下拉晶体管、传输晶体管的开态电流；步骤4若静态噪声容限的误差或写噪声容限的误差不满足预设条件，则调整上拉晶体管的阈值电压；步骤5若静态漏电流的误差不满足预设条件，则调整下拉晶体管、传输晶体管、上拉晶体管的关态电流；步骤6重复步骤2-5，直到所述读电流、所述静态噪声容限、所述写噪声容限、以及所述静态漏电流均满足预设条件，完成SRAM模型提取。
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百度查询： 上海华大九天信息科技有限公司 一种SRAM模型提取方法
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