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申请/专利权人：欧司朗OLED股份有限公司
申请日：2018-11-12
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN111630670B
主分类号：H01L33/46
分类号：H01L33/46;H01S5/042;H01S5/183;H01L33/04;H01S5/30;H01S5/42
优先权：["20171205 DE 102017128881.3"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2020.11.17#实质审查的生效;2020.09.04#公开
摘要：提供了一种发射辐射的半导体器件1，所述半导体器件具有半导体层序列2和载体3，在所述载体上设置有半导体层序列，其中，半导体层序列具有设置用于产生辐射的有源区20、n型传导的镜区域21和p型传导的镜区域22，所述有源区设置在n型传导的镜区域和p型传导的镜区域之间，并且p型传导的镜区域设置为比有源区更靠近载体。
主权项：1.一种发射辐射的半导体器件1，所述半导体器件具有半导体层序列2和载体3，所述半导体层序列设置在所述载体上，其中-所述半导体层序列具有设置用于产生辐射的有源区20、n型传导的镜区域21和p型传导的镜区域22，-所述有源区设置在所述n型传导的镜区域和所述p型传导的镜区域之间，-所述p型传导的镜区域设置为比所述有源区更靠近所述载体，-所述半导体器件的有源区被划分成多个区段201,-所述区段201在横向方向上彼此相邻地设置，并且-所述n型传导的镜区域包含以下材料中的至少一种作为掺杂剂：Te、Sn、Se。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 欧司朗OLED股份有限公司 发射辐射的半导体器件
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