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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2022-10-28
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118266028A
主分类号：G11C11/56
分类号：G11C11/56
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：在某些方面，一种存储器件包括：存储单元的列和行的阵列；字线，该字线分别耦合到存储单元的行；位线，该位线分别耦合到存储单元的列；以及外围电路，该外围电路通过位线和字线耦合到存储单元的阵列，并且被配置为基于当前数据页对存储单元的行中的选择行进行编程。每个存储单元被设置为2N个级别中的一个级别，该级别与一段N位数据相对应，其中，N是大于2的整数。外围电路包括分别耦合到位线的页缓冲器电路。每个页缓冲器电路包括：一个高速缓存存储单元、N‑1个数据存储单元和多用途存储单元。高速缓存存储单元被配置为：顺序地接收当前数据页的N位和下一数据页的N位，并且顺序地存储当前数据页的N位中的一位和下一数据页的N位中的每一位。每个数据存储单元被配置为：顺序地存储当前数据页的N位中的相应一位和下一数据页的N位中的相应一位。多用途存储单元被配置为：存储当前数据页的N位中的至少一位。
主权项：1.一种存储器件，包括：呈列和行的存储单元的阵列，每个存储单元被设置为2N个级别中的一个级别，所述级别与一段N位数据相对应，其中，N是大于2的整数；字线，所述字线分别耦合到所述存储单元的行；位线，所述位线分别耦合到所述存储单元的列；以及外围电路，所述外围电路通过所述位线和所述字线耦合到所述存储单元的阵列，并且被配置为基于当前数据页对所述存储单元的行中的选择行进行编程，所述外围电路包括分别耦合到所述位线的页缓冲器电路，每个页缓冲器电路包括：一个高速缓存存储单元，所述一个高速缓存存储单元被配置为：在基于所述当前数据页对所述选择行进行编程时，顺序地接收所述当前数据页的N位和下一数据页的N位，并且顺序地存储所述当前数据页的N位中的一位和所述下一数据页的N位中的每一位；N-1个数据存储单元，每个数据存储单元被配置为：在基于所述当前数据页对所述选择行进行编程时，顺序地存储所述当前数据页的N位中的相应一位和所述下一数据页的N位中的相应一位；以及多用途存储单元，所述多用途存储单元被配置为：在基于所述当前数据页对所述选择行进行编程时，存储所述当前数据页的N位中的至少一位。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 存储器件及存储器件的编程操作
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