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申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日：2024-03-04
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118262763A
主分类号：G11C16/12
分类号：G11C16/12;G11C16/26
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本申请提供了一种EEPROM器件，涉及半导体技术领域，解决了器件容易出现GIDL效应使得GIDL电流加剧而影响对EEPROM器件进行的写操作的问题，本方案的EEPROM器件通过对选通管的控制，以对相应的存储单元中的存储管进行写操作或擦除操作，使得浮栅极区能够进行有效地的电子移动，在相应的存储单元被选择时，选通栅极区会接入相应的预设电压，以开启选通管，而且选通栅极区所接入的预设电压能够有效地减小位线与选通管的选通栅极之间的压差，且还能够提高击穿电压，使得达到击穿电压的难度增大，从而抑制GIDL电流，有助于改善GIDL效应。
主权项：1.一种EEPROM器件，其特征在于，包括若干个设置在衬底层上的存储单元，所述存储单元包括：单元晶圆层，所述单元晶圆层设置在所述衬底层的上方，在所述单元晶圆层内设置有隧穿层，且用于连接选通管的漏极的位线设置在所述单元晶圆层内，在对EEPROM器件进行写操作的情况下，未被选择的位线接入接地端电压，已被选择的位线接入第一高电平电压；选通管，所述选通管包括选通栅极区，所述选通栅极区作为选通管的选通栅极，且所述选通栅极区设置在所述单元晶圆层上，在对EEPROM器件进行写操作的情况下，未被选择的选通栅极区接入大于接地端电压的预设电压，已被选择的选通栅极区接入第二高电平电压；存储管，所述存储管包括控制栅极区和浮栅极区，所述控制栅极区作为所述存储管的控制栅极，所述浮栅极区作为所述存储管的浮栅极，所述浮栅极区设置所述单元晶圆层上且位于所述隧穿层的上方，所述控制栅极区位于所述浮栅极区的上方，且所述控制栅极区和所述浮栅极区之间设置有介电质层，以间隔所述控制栅极区和所述浮栅极区，在对EEPROM器件进行写操作的情况下，所述控制栅极区接入接地端电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 粤芯半导体技术股份有限公司 EEPROM器件
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