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申请/专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日：2016-05-09
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN111799153B
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02;H01L21/3205;C23C16/22;C23C16/24;C23C16/38;C23C16/42;B82Y40/00
优先权：["20150508 KR 10-2015-0064857"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2020.11.06#实质审查的生效;2020.10.20#公开
摘要：本发明涉及形成非晶薄膜的方法。根据本发明的一实施例，形成非晶薄膜的方法包括：在基底上流过氨基硅烷系气体，从而在上述基底表面形成种子层的工序；在上述种子层供给包括含硼气体的第一源气体而形成掺杂有硼的第一非晶薄膜的工序；以及在上述第一非晶薄膜供给包括含硼气体的第二源气体而形成掺杂有硼的第二非晶薄膜的工序。
主权项：1.一种非晶薄膜的形成方法，其特征在于，包括：在基底上流过氨基硅烷系气体，从而在上述基底表面形成种子层的工序；及在上述种子层上形成既定厚度的非晶薄膜的工序；其中，上述的形成上述非晶薄膜的工序包括：在上述种子层上形成第一非晶硅薄膜的工序，该第一非晶硅薄膜掺杂硼并具有的第一厚度；在上述第一非晶硅薄膜上形成第二非晶硅薄膜的工序，该第二非晶硅薄膜掺杂硼并具有以上的第二厚度；使用于形成上述第一非晶硅薄膜的工序的第一源气体包括含硼气体及硅烷系气体且供给到上述种子层，所述第一源气体不包括氢气；使用于形成上述第二非晶硅薄膜的工序的第二源气体包括含硼气体和硅烷系气体，且上述第二源气体与上述第一源气体不同，而且上述第二源气体被供给到上述第一非晶硅薄膜，其中，上述第一源气体中还包括15000sccm的N2，上述第二源气体中还包括5000sccm的N2和3000sccm的H2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社EUGENE科技 非晶薄膜形成方法
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