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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2022-12-27
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263296A
主分类号：H01L29/423
分类号：H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：一种晶体管及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一器件区和隔离区；在所述第一器件区内形成第一氧化结构，并在所述隔离区内形成隔离结构；在所述第一氧化结构上形成栅极氧化层；在所述栅极氧化层上形成栅极。所述晶体管及其形成方法提升了栅极氧化层的厚度，工艺较简单，工艺风险小，且与后续制程的兼容性好。
主权项：1.一种晶体管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括第一器件区和隔离区；位于所述第一器件区内的第一氧化结构，所述第一氧化结构的底部表面低于所述衬底表面；位于所述隔离区内的隔离结构；位于所述第一氧化结构上的栅极氧化层；位于所述栅极氧化层上的栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶体管及其形成方法
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