申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日:2022-12-26
公开(公告)日:2024-06-28
公开(公告)号:CN118265442A
主分类号:H10N97/00
分类号:H10N97/00;H01L23/64
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.28#公开
摘要:本申请提供一种半导体结构及其形成方法,所述半导体结构包括:衬底;第一极板,位于所述衬底上;介电层,位于所述衬底和所述第一极板上;第二极板,和所述第一极板的位置对应,且包括依次堆叠于所述介电层上的第一导电层和第二导电层,其中所述第一导电层的底面向所述第一极板的方向凹陷。所述半导体结构能够提高高压电容结构单位厚度的抗击穿能力。
主权项:1.一种半导体结构,其特征在于,包括:衬底;第一极板,位于所述衬底上;介电层,位于所述衬底和所述第一极板上;第二极板,和所述第一极板的位置对应,且包括依次堆叠于所述介电层上的第一导电层和第二导电层,其中所述第一导电层的底面向所述第一极板的方向凹陷。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
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