申请/专利权人:合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日:2024-03-29
公开(公告)日:2024-06-28
公开(公告)号:CN118260938A
主分类号:G06F30/20
分类号:G06F30/20
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.28#公开
摘要:本发明提供了一种使用工艺仿真工具的MOS半导体装置设计方法及装置,应用于集成电路制造技术领域。具体的,其针对设于栅极结构至少一侧的LDD离子注入区和Halo离子注入区,在逐渐调节沿所述栅极结构沟道长度方向的掺杂物横向矩的同时,对所述LDD离子注入区及所述Halo离子注入区的掺杂物浓度分布进行工艺仿真,得到意想不到的效果是:在考虑MOS半导体装置中的所述LDD离子注入区及所述Halo离子注入区的掺杂物浓度在深度方向对其沟道长度L的影响之外,还进一步与工艺仿真工具TCAD相结合,实现逐步调节所述LDD离子注入区及所述Halo离子注入区的横向掺杂物浓度分布的目的。
主权项:1.一种使用工艺仿真工具的MOS半导体装置设计方法,其特征在于,至少包括如下步骤:针对设于栅极结构至少一侧的LDD离子注入区和Halo离子注入区,在逐渐调节沿所述栅极结构沟道长度方向的掺杂物横向矩的同时,对所述LDD离子注入区及所述Halo离子注入区的掺杂物浓度分布进行工艺仿真。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 合肥晶合集成电路股份有限公司 使用工艺仿真工具的MOS半导体装置设计方法及装置
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。