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申请/专利权人：黄山芯微电子股份有限公司
申请日：2023-12-27
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263336A
主分类号：H01L29/872
分类号：H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了一种MOS型快恢复二极管芯片结构及其制作方法，在重掺N+衬底上设置有N‑漂移区，在N‑漂移区上有源区内设置有P区，在P区上设置有N+区，可选的，在P区上设置有N+区及P+短路点，P+短路点均匀设置在N+区域内且深度超过N+；在有源区表层设置有相互平行的纵向沟槽，且沟槽穿过有源区表层的N+层和其下的P层后一直到达漂移区N‑层，沟槽底部下侧N‑浅表区分布有掺入的金或者铂等重金属，沟槽内填有二氧化硅和多晶硅，且多晶硅的底部超过P层，在芯片表面设置有正面金属阳极电极，与沟槽内多晶硅及N+区和P+短路点相连接。本发明的芯片具有较低的正向压降、更好的恢复特性及雪崩能力。
主权项：1.一种MOS型快恢复二极管芯片结构，其特征在于：在重掺N+衬底上设置有N-漂移区，在N-漂移区上有源区内设置有P区，在P区上设置有N+区，可选的，在P区上设置有N+区及P+短路点，P+短路点均匀设置在N+区域内且深度超过N+；在有源区表层设置有相互平行的纵向沟槽，且沟槽穿过有源区表层的N+层和其下的P层后一直到达漂移区N-层，沟槽底部下侧N-浅表区分布有掺入的金或者铂等重金属，沟槽内填有二氧化硅和多晶硅，且多晶硅的底部超过P层，在芯片表面设置有正面金属阳极电极，与沟槽内多晶硅及N+区相连接，可选的，正面金属阳极电极与沟槽内多晶硅及N+区和P+短路点相连接，在重掺N+衬底下面设置有背面金属阴极电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 黄山芯微电子股份有限公司 一种MOS型快恢复二极管芯片结构及其制作方法
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