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申请/专利权人：中环新能(安徽)先进电池制造有限公司
申请日：2024-05-09
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248753A
主分类号：H01L31/0352
分类号：H01L31/0352;H01L31/032;H01L31/068;H01L31/18
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.12#实质审查的生效;2024.06.25#公开
摘要：本申请涉及一种Topcon太阳能电池，包括：硅基；设置在所述硅基背表面的隧穿氧化层；设置在隧穿氧化层上的掺杂多晶硅层；设置在掺杂多晶硅层上的第一钝化层；设置在所述第一钝化层上的n型半导体层；设置在n型半导体层上的第一减反层；突出于第一减反层表面、并嵌入至所述掺杂多晶硅层的第一电极，其中，所述n型半导体层的材料包括PbSe量子点。本申请提供的Topcon太阳能电池，其n型半导体层的材料包括PbSe量子点，PbSe量子点能够减少载流子复合，提升Topcon太阳能电池的钝化效果。
主权项：1.一种Topcon太阳能电池，其特征在于，所述Topcon太阳能电池包括：硅基；设置在所述硅基背表面的隧穿氧化层；设置在隧穿氧化层上的掺杂多晶硅层；设置在掺杂多晶硅层上的第一钝化层；设置在所述第一钝化层上的n型半导体层；设置在n型半导体层上的第一减反层；突出于第一减反层表面、并嵌入至所述掺杂多晶硅层的第一电极，其中，所述n型半导体层的材料包括PbSe量子点。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中环新能(安徽)先进电池制造有限公司 Topcon太阳能电池及其制备方法
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