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申请/专利权人：台亚半导体股份有限公司
申请日：2023-07-21
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118232161A
主分类号：H01S5/042
分类号：H01S5/042;H01S5/183
优先权：["20221220 TW 111148909"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供一种半导体激光元件，所述半导体激光元件包括半导体外延结构、光吸收结构、透明导电层及电极层。半导体外延结构包括发光层及发光控制层，发光控制层位于发光层上方且形成发光开口区域；光吸收结构位于半导体外延结构上且形成外露半导体外延结构的镂空部，其中光吸收结构的能隙小于发光能隙；透明导电层包括窗口部及延伸部，窗口部位于镂空部内并覆盖半导体外延结构，且延伸部覆盖光吸收结构；电极层位于透明导电层上且形成外露透明导电层的开口部，且窗口部位于开口部内。其中窗口部的位置基于光射出方向对应发光开口区域的位置。
主权项：1.一种半导体激光元件，所述半导体激光元件包括：半导体外延结构，包括发光层和发光控制层，所述发光控制层位于所述发光层上方且形成发光开口区域；光吸收结构，位于所述半导体外延结构上且形成外露所述半导体外延结构的镂空部，其中所述光吸收结构的能隙小于发光波长能隙；透明导电层，包括窗口部和延伸部，所述窗口部位于所述镂空部内并覆盖所述半导体外延结构，且所述延伸部覆盖所述光吸收结构；以及电极层，位于所述透明导电层上且形成外露所述透明导电层的开口部，且所述窗口部位于所述开口部内；其中，所述窗口部的位置基于光射出方向与所述发光开口区域的位置相对应。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台亚半导体股份有限公司 半导体激光元件
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