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申请/专利权人：浜松光子学株式会社
申请日：2023-12-27
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263242A
主分类号：H01L25/16
分类号：H01L25/16;H01L23/528
优先权：["20221228 JP 2022-212485"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明的光半导体元件具备：基板、第1终端单元以及单元。在第1终端单元的顶面上配置有第1电极。第1终端单元和单元通过以从第1终端单元的顶面上到单元的方式延伸的配线层而连接。第1电极经由形成于绝缘层的开口露出于外部。配线层，在第1终端单元的顶面上与第1电极隔离，另一方面，经由第1半导体层与第1电极电连接。第1部分具有与第1半导体层接触的接触区域。接触区域的宽度为开口的宽度以上。
主权项：1.一种光半导体元件，其中，具备：基板；以及形成于所述基板上的第1单元和第2单元，所述第1单元至少具有第1半导体层，所述第2单元构成为产生或检测光，在所述第1单元的顶面上，配置有与所述第1半导体层电连接的第1电极，所述第1单元和所述第2单元通过以从所述第1单元的顶面上到所述第2单元的方式延伸的第1配线层而相互电连接，在所述第1单元的顶面上配置有第1绝缘层，所述第1电极经由形成于所述第1绝缘层的开口露出于外部，所述第1配线层，在所述第1单元的顶面上与所述第1电极隔离，另一方面，经由所述第1半导体层与所述第1电极电连接，所述第1配线层的配置于所述第1单元的顶面上的部分具有：与所述第1半导体层接触的接触区域，在沿着所述第1配线层的宽度方向的规定方向上的所述接触区域的宽度为所述规定方向上的所述开口的宽度以上。
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