龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：ASMIP私人控股有限公司
申请日：2023-12-15
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231245A
主分类号：H01L21/3205
分类号：H01L21/3205;H01L21/3213;C30B25/04;C30B29/06
优先权：["20221220 US 63/476,335"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：公开了在衬底上选择性地形成含Si外延层的方法和半导体处理设备。目前描述的形成含Si外延层的方法的实施例包括执行沉积过程，用于相对于不同于第一暴露单晶表面的第二暴露单晶表面，选择性地在第一暴露单晶表面上形成含Si外延层。
主权项：1.一种在衬底上选择性地形成含Si外延层的方法，该方法包括：-向处理室提供衬底，该衬底包括暴露表面，该暴露表面包括第一暴露表面和第二暴露表面，-执行沉积过程，从而相对于第二暴露表面在第一暴露表面上选择性地形成含Si外延层，沉积过程包括向处理室提供含Si前体，其中，含Si前体是卤代聚硅烷前体，并且其中第一暴露表面是单晶表面，并且其中第二暴露表面是具有与第一暴露表面不同的晶体取向的单晶表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ASMIP私人控股有限公司 形成外延层的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号