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申请/专利权人：中国科学院金属研究所
申请日：2021-06-15
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN113594354B
主分类号：H10N52/00
分类号：H10N52/00;H10N52/85;H10N52/01
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2021.11.19#实质审查的生效;2021.11.02#公开
摘要：本发明涉及一种YIGSnTe异质结单晶外延薄膜及其制备方法，所述YIGSnTe异质结单晶外延薄膜的制备方法为：提供GGG基底，并将该GGG基底置于真空系统中；利用脉冲激光沉积生长一YIG薄膜于该GGG基底表面；再利用分子束外延技术生长一SnTe薄膜于作为基底的YIG薄膜表面。利用本发明方法可制备出高质量的单晶外延铁磁拓扑绝缘体异质结，可在300K时观察到反常霍尔效应。
主权项：1.一种YIGSnTe异质结单晶外延薄膜，其特征在于：在GGG111基底表面生长YIG单晶外延薄膜，在该薄膜表面生长SnTe单晶外延薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院金属研究所 一种YIG/SnTe异质结单晶外延薄膜及其制备方法
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