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申请/专利权人：中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学
申请日：2023-09-15
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN221239616U
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L29/20;H01L21/02;H01L29/778
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权
摘要：本实用新型公开了一种基于硅衬底的氮化镓材料外延结构，包括从下至上依次层叠的硅衬底、AlN成核层、镓涂层、AlGaN缓冲层和氮化镓外延薄膜。本实用新型在硅衬底上形成氮化铝成核层；在氮化铝成核层上生长AlGaN缓冲层；在生长AlGaN缓冲层之前，在氮化铝成核层上预先单独通入5s‑30s镓源，形成镓涂层；在AlGaN缓冲层上生长氮化镓薄膜。本实用新型实施例中，在氮化铝和AlGaN缓冲层之间插入了一层镓涂层，有效调整了AlGaN层生长初始阶段的三维岛状密度和尺寸，提高了AlGaN薄膜的生长质量，能够增加AlGaN薄膜对氮化镓薄膜提供的预压应力，使外延生长的氮化镓薄膜表面无裂纹。本工艺步骤简单，引入的额外成本小，且能有效的改善由于晶格失配导致的硅衬底上氮化镓薄膜的裂纹问题。
主权项：1.一种基于硅衬底的氮化镓材料外延结构，其特征在于，包括从下至上依次层叠的硅衬底、AlN成核层、镓涂层、AlGaN缓冲层和氮化镓外延薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学 一种基于硅衬底的氮化镓材料外延结构
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