龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日：2022-12-28
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263283A
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L29/772;H01L21/335;H01L21/20
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了一种外延结构及其制造方法、半导体器件。外延结构包括：缓冲层，所述缓冲层为多层结构；所述缓冲层包括层叠设置的第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层；所述第一缓冲层、所述第二缓冲层和所述第三缓冲层中金属组分的含量分别为第一含量ZF1、第二含量ZF2和第三含量ZF3；其中，ZF1、ZF2和ZF3满足如下关系：ZF2＜ZF1，ZF2＜ZF3；或者，ZF2＞ZF1，ZF2＞ZF3。本发明实施例改善了外延结构在外延生长过程中的应力问题，从而改善了外延结构的裂纹和翘曲的问题。
主权项：1.一种外延结构，其特征在于，包括：缓冲层，所述缓冲层为多层结构；所述缓冲层包括层叠设置的第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层；所述第一缓冲层、所述第二缓冲层和所述第三缓冲层中金属组分的含量分别为第一含量ZF1、第二含量ZF2和第三含量ZF3；其中，ZF1、ZF2和ZF3满足如下关系：ZF2＜ZF1，ZF2＜ZF3；或者，ZF2＞ZF1，ZF2＞ZF3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州能讯高能半导体有限公司 外延结构及其制造方法、半导体器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号