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申请/专利权人：江西力特康光学有限公司
申请日：2021-11-11
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN114171647B
主分类号：H01L33/12
分类号：H01L33/12;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;C30B29/40;C30B29/68;C30B25/02
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2022.09.09#专利申请权的转移;2022.03.29#实质审查的生效;2022.03.11#公开
摘要：本发明提供了一种氮化物外延结构及其制备方法。为解决低温的氮化铝缓冲层虽然可以减少后续形成的氮化铝薄膜龟裂现象及降低其缺陷密度，但无法有效地抑制穿透位错沿着垂直衬底的方向向上传播至接续的氮化铝镓薄膜。先于蓝宝石衬底上形成低温氮化铝缓冲层，然后形成高温氮化铝层。然后于高温氮化铝层之上形成锗掺杂浓度为3E+20cm‑3及镓掺杂浓度为5E+17cm‑3的共掺杂的氮化铝层，然后形成无掺杂且Al组分恒定的氮化铝镓层AlaGa1‑aN，然后将以上共掺杂的氮化铝层及Al组分恒定的氮化铝镓层周期地交叠以形成超晶格，然后于其上形成厚度为1μm‑4μm的另一氮化铝镓层AlbGa1‑bN。可降低沿垂直氮化铝薄膜方向向上传播的几率，有效降低深紫外光发光二极管的主动发光区的位错密度。
主权项：1.一种氮化物外延结构，其特征在于，所述外延结构包括：衬底；位于所述衬底表面的具有铝原子极化表面的第一氮化铝薄膜层；位于所述具有铝原子极化表面的第一氮化铝薄膜层一侧的锗及镓共掺杂的第二氮化铝薄膜层；位于所述锗及镓共掺杂的第二氮化铝薄膜层远离所述具有铝原子极化表面的第一氮化铝薄膜层一侧的第一无掺杂的氮化铝镓薄膜层；位于所述第一无掺杂的氮化铝镓AlaGa1-aN薄膜层远离所述具有铝原子极化表面的第一氮化铝薄膜层一侧的第二N型掺杂的氮化铝镓AlbGa1-bN薄膜层；所述锗及镓共掺杂的第二氮化铝薄膜层与所述第一无掺杂的氮化铝镓薄膜层交叠生长N个周期形成的超晶格。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西力特康光学有限公司 一种氮化物外延结构及其制备方法
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