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申请/专利权人：中山智隆新材料科技有限公司
摘要：本发明公开了一种IGTO溅射靶材及其制备方法和应用，本发明的IGTO靶材包括如下质量百分比的组分：In2O3的含量为40％～80％，SnO2的含量为10％～30％，Ga2O3的含量为10％～30％，GaN的含量为0.01％～2％，TiO2的含量为0.1％～3％，其各组分之和为100％。本发明的IGTO溅射靶材采用Ti和N元素进行掺杂，对溅射后薄膜而言，对氧空位有较好的抑制作用和有效降低载流子浓度。尤其在特定含量Ti和N元素的配合下，对迁移率的影响不明显。使用Ti取代Ga可降低靶材原料成本，且本发明的溅射靶材可应用于显示领域薄膜晶体管中。
主权项：1.一种IGTO溅射靶材，其特征在于，包括如下质量百分比的组分：In2O3的含量为40％～80％，SnO2的含量为10％～30％，Ga2O3的含量为10％～30％，GaN的含量为0.01％～2％，TiO2的含量为0.1％～3％，其各组分之和为100％。
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百度查询： 中山智隆新材料科技有限公司 一种IGTO溅射靶材及其制备方法和应用
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