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申请/专利权人：北京航天时代光电科技有限公司
摘要：本发明涉及一种去除高深宽比深槽结构中SU8光刻胶的方法，包括：SU8光刻胶预先去胶处理：将衬底放在N‑甲基吡咯烷酮溶液中，进行水浴处理后，在室温下对放有衬底的N‑甲基吡咯烷酮溶液进行超声清洗，清洗时间0.5～4h，清洗功率为80‑100W；在N‑甲基吡咯烷酮溶液中放入转子，转子与衬底不接触，在磁力搅拌机上搅拌0.5～4h，去除间隙外的胶以及间隙中的部分胶；氧化去除衬底电极间隙SU8胶残余物；去胶后，清洗衬底电极间隙，清除衬底电极间隙中的残留腐蚀液。本发明减少了SU8光刻胶对后续器件制作工艺的影响。
主权项：1.一种去除高深宽比深槽结构中SU8光刻胶的方法，衬底上有深槽结构，其特征在于，包括：SU8光刻胶预先去胶处理：将衬底放在N-甲基吡咯烷酮溶液中，进行水浴处理后，在室温下对放有衬底的N-甲基吡咯烷酮溶液进行超声清洗，清洗时间0.5～4h，清洗功率为80-100W；在N-甲基吡咯烷酮溶液中放入转子，转子与衬底不接触，在磁力搅拌机上搅拌0.5～4h，去除间隙外的胶以及间隙中的部分胶；氧化去除衬底电极间隙SU8胶残余物：将经磁力搅拌机上搅拌后的衬底放置于腐蚀液中，进行水浴处理，加热温度为60℃～75℃，水浴时间0.5～1h；在室温下对放有衬底的腐蚀液进行超声清洗，清洗时间0.5～4h，清洗功率为80-100W；在腐蚀液中放入转子，转子与衬底不接触，在磁力搅拌机上搅拌0.5～4h，去除间隙中全部的胶；去胶后，清洗衬底电极间隙：将去胶后的衬底放入去离子水中，进行水浴处理，加热温度为60℃～75℃，水浴时间0.5～1h；在室温下对放有衬底的去离子水进行超声清洗，清洗时间0.5～1h，清洗功率为80-100W；在去离子水中放入转子，转子与衬底不接触，在磁力搅拌机上搅拌0.5～4h，清除衬底电极间隙中的残留腐蚀液。
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权利要求：
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