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一种APCVD沉积过程颗粒物控制系统及其控制方法 

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申请/专利权人:杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

摘要:本发明公开了一种APCVD沉积过程颗粒物控制系统及其控制方法,涉及常压化学沉积技术领域,包括反应管、第一气罐、第二气罐以及第三气罐,滑块滑动同时为调节叶片提供摆动的动力,使通过的气流不断改变通过的路径,从而达到气流均匀分散的目的,因此,在气流与反应物反应后产生的过程产物颗粒能够均匀分散,调节组件使用时,流动的气流能够带动风扇转动,无需外置动力驱动即可为调节叶片提供摆动的动力,从而节省了能源的消耗,调节叶片能够通过第二转动轴转动一定角度,因此,相邻调节叶片之间能够形成一定大小的缝隙,通过调节缝隙的大小进而能够控制通过的反应气流量,从而适用于不同反应气体流量的APCVD系统。

主权项:1.一种APCVD沉积过程颗粒物控制系统,包括反应管1、第一气罐2、第二气罐3以及第三气罐4,所述反应管1的一侧设置有第一气罐2、第二气罐3与第三气罐4,所述第一气罐2、第二气罐3与第三气罐4从下到上依次叠加放置,其特征在于:所述反应管1与第一气罐2、第二气罐3与第三气罐4均分别通过输气管5相连接,所述输气管5的一端贯穿反应管1并延伸至内部,且输气管5的一端固定连接有调控机构6,所述反应管1的另一侧通过管道连接有废气吸收罐8,所述废气吸收罐8的一侧壁上方固定设置有防护罩9,所述防护罩9的内部转动设置有排气扇10,所述反应管1的一侧外壁分别开设有两个滑槽,滑槽的内部分别滑动设置有置物组件11与支撑组件12,所述置物组件11与支撑组件12的一端均贯穿反应管1并延伸至内部,所述反应管1的内壁开设有腔体,腔体的内部设置有加热丝13;所述调控机构6包括喷气头601与气体分布组件602,所述喷气头601的左侧壁开设有螺纹孔,所述气体分布组件602的一端固定设置有第一法兰盘605,所述喷气头601与气体分布组件602通过第一法兰盘605与螺纹孔固定连接,所述喷气头601的内部设置有气量调控组件604,所述喷气头601的正面通过转轴转动连接有若干传动齿轮607,全部所述传动齿轮607的外壁共同啮合有传动链条608,所述传动链条608的最顶部内壁啮合有驱动齿轮,驱动齿轮的一侧壁固定连接有伺服电机609;所述气体分布组件602包括气体分布管6021,所述气体分布管6021为中空结构,且气体分布管6021的两端开设有通气口,所述气体分布管6021的内部设置有调节组件6022,且气体分布管6021的内壁固定设置有承载支架6023;所述调节组件6022包括导风板60221,所述导风板60221的前后两侧壁均固定连接有第一转动轴60222,所述导风板60221的左侧壁开设有第一滑槽60223,所述第一滑槽60223的内部滑动设置有滑块60224,所述滑块60224的一侧壁转动连接有连杆60225,所述连杆60225的一端固定焊接有连接块60226,所述连接块60226的左侧壁固定焊接有驱动轴60227,所述驱动轴60227的一端固定连接有风扇60228,且驱动轴60227的外壁转动套设有轴套60229;所述气量调控组件604包括第一固定板6041与第二固定板6042,所述第一固定板6041与第二固定板6042之间通过第二转动轴6044转动连接有若干调节叶片6043,所述第二转动轴6044的一端分别贯穿第一固定板6041与第二固定板6042。

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