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申请/专利权人：华南师范大学
摘要：本发明提供了一种电容可调控的双场板凸形势垒层CascodeHEMT器件及其制备方法，包括集成于一衬底上的增强型HEMT和耗尽型HEMT，层叠的GaN外延层、倒凸形势垒层，依次间隔、同层设置的第一电极、AlGaN帽层、第二电极、第二栅极和第三电极，AlGaN帽层上设置有第一栅极，第一电极、AlGaN帽层、第二电极、第二栅极和第三电极之间设置有钝化层；倒凸形势垒层由延伸至GaN外延层中的AlGaN埋层区域和AlGaN势垒层组成；第一栅极侧邻接设置有第一级场板，间隔设置有第二级场板，第一级场板位于AlGaN埋层区域的正上方；形成了高开关速度、耐压分布可调控的CascodeHEMT器件。
主权项：1.一种电容可调控的双场板凸形势垒层CascodeHEMT器件，其特征在于，包括一衬底，层叠于该衬底上的GaN外延层、位于GaN外延层上的倒凸形势垒层，依次间隔、同层设置于倒凸形势垒层上的第一电极、P型AlGaN帽层、第二电极、第二栅极和第三电极，P型AlGaN帽层上设置有第一栅极，所述第一电极、P型AlGaN帽层、第二电极、第二栅极和第三电极之间设置有钝化层；所述倒凸形势垒层由延伸至GaN外延层中的AlGaN埋层区域和位于所述GaN外延层上的AlGaN势垒层组成；所述第一栅极靠近第二电极侧邻接设置有第一级场板，远离该第一级场板靠近第二电极侧设置有第二级场板，沿第一电极与第二电极之间的方向上，所述第二级场板的宽度占所述第二电极与所述第三电极之间间距的13～12，所述第二级场板与所述第二电极的间距为第一栅极与所述第二电极之间间距的16～14；所述第一级场板位于所述AlGaN埋层区域的正上方；所述第一电极、第一栅极、场板、第二电极、帽层与势垒层和GaN外延层之间构成增强型HEMT；所述第二电极、第二栅极、第三电极与势垒层和GaN外延层之间构成耗尽型HEMT，所述第一电极、第一栅极、场板、第二电极、第二栅极和第三电极之间设置有钝化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南师范大学 一种电容可调控的双场板凸形势垒层Cascode HEMT器件及其制备方法
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