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申请/专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学杭州研究院
摘要：一种具有十字形沟道和双源极双漏极的肖特基势垒场效应晶体管生物传感器，包括十字形沟道，十字形沟道外侧四个拐角处交叉设有两个源极和两个漏极，十字形沟道的四臂表面均连接有栅极介质层和生物分子探测腔的一面，栅极介质层和生物分子探测腔另一面连接栅极；通过采用双源极和双漏极，源极和漏极内嵌在沟道的四个拐角处，且源极和漏极交叉放置，相比于在源极和漏极在沟道两端的传统结构，本发明增大了源极和沟道的接触面积，即增大了肖特基接触的面积，增大了肖特基隧穿的发生概率，因此增大了漏极电流；在生物分子检测方面具有更高的灵敏度。
主权项：1.一种具有十字形沟道和双源极双漏极的肖特基势垒场效应晶体管生物传感器，包括十字形沟道1，其特征在于：所述十字形沟道1外侧四个拐角处交叉设有两个源极2和两个漏极3，十字形沟道1的四臂表面均连接有栅极介质层4和生物分子探测腔6的一面，栅极介质层4和生物分子探测腔6另一面连接栅极5。
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百度查询： 西安电子科技大学 西安电子科技大学杭州研究院 一种具有十字形沟道和双源极双漏极的肖特基势垒场效应晶体管生物传感器
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