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申请/专利权人：重庆云潼科技有限公司
摘要：本发明公开了一种低Cgd和Rsp的N沟道SGTMOSFET结构及其制造方法，该结构在总槽深不变的情况下，增加栅多晶硅所占深度，减少源多晶硅所占深度，拓宽电子导通通道从而降低器件比电阻Rsp；再引入厚度呈阶梯式变化的栅氧来降低因增加栅多晶硅所占深度，减少源多晶硅所占深度所带来的弥勒电容Cgd增大的负面影响。本发明提供的SGT结构减少源多晶硅所占的深度，增大栅多晶硅所占的深度，拓宽了N沟道SGTMOSFET器件的电子导通通道，达到了降低器件比导通电阻Rsp的目的；栅氧设计为阶梯式，通过增加栅电极和漏电极之间的栅氧厚度，从而降低栅漏电容Cgd。
主权项：1.一种低Cgd和Rsp的N沟道SGTMOSFET结构，其特征在于，该结构在总槽深不变的情况下，增加栅多晶硅所占深度，减少源多晶硅所占深度，拓宽电子导通通道从而降低器件比电阻Rsp；再引入厚度呈阶梯式变化的栅氧来降低因增加栅多晶硅所占深度，减少源多晶硅所占深度所带来的弥勒电容Cgd增大的负面影响。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆云潼科技有限公司 一种低Cgd和Rsp的N沟道SGT MOSFET结构及其制造方法
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