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一种纳米尺度空气沟道器件的制备工艺 

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申请/专利权人:贵州师范大学;晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院)

摘要:本发明公开了一种纳米尺度空气沟道器件的制备工艺,涉及纳米尺度空气沟道器件技术领域,其技术方案要点是:该方法具体包括在硅衬底淀积介质层1、图形化后,干法刻蚀形成凹槽、淀积介质层2、淀积发射金属、采用湿法刻蚀形成沟道等5个步骤。通过预先淀积湿法刻蚀选择比不同的介质层的方法,以缓解现有技术中刻蚀终点难以把握,导致过刻蚀或者未完全刻蚀导致影响器件性能的问题。

主权项:1.一种纳米尺度空气沟道器件的制备工艺,其特征是:包括以下5个步骤:S1.在硅衬底淀积介质层1;S2.图形化后,干法刻蚀形成凹槽;S3.淀积介质层2;S4.淀积发射金属;S5.采用湿法刻蚀形成沟道。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 贵州师范大学 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院) 一种纳米尺度空气沟道器件的制备工艺

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