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申请/专利权人：南通职业大学
摘要：本发明公开了一种栅状空气沟道晶体管及其制备方法，包括电极一、介质层一、电极二、介质层二、栅阻挡介质、电极三、基板以及沟道，电极一、介质层一、电极二、介质层二、电极三、基板依次从上至下设置，沟道贯穿电极一、介质层一、电极二、介质层二，多个所述沟道使各层薄膜形成栅状结构，所述栅阻挡介质与所述电极二位于同层。本发明增加栅极阻挡层介质结构，有效减小栅极泄露电流；多个沟道形成栅状结构有效增加电子发射面积，提升同等尺寸晶体管的沟道电流。
主权项：1.一种栅状空气沟道晶体管的制备方法，其特征在于：包括：（1）电极三制备：在基板上通过磁控溅射或电子蒸发方法，制备一层金属；（2）介质层二制备：电极三上通过磁控溅射或化学气相沉积方法制备一层电极三；（3）电极二制备：在介质层二上，通过磁控溅射或电子束蒸镀方法，制备易于氧化且能形成致密氧化层的导电材料，作为晶体管栅极的电极二；（4）介质层一制备：在电极二之上，通过磁控溅射或化学气相沉积方法制备一层介质，介质层覆盖电极二开口及其上表面，且完全覆盖电极二开口处台阶，此介质层同时充当栅阻挡介质及介质层一；（5）电极一制备：在介质层一上，通过磁控溅射或电子束蒸镀工艺，制备电极一；（6）沟道制备：在器件中央通过湿法或者干法刻蚀，制备沟道，沟道贯穿电极一、介质层一、电极二、介质层二，沟道个数大于等于两个；（7）栅阻挡介质制备：将器件置于氧气氛围中高温退火，退火温度100℃~300℃，退火20min至1h，在电极二侧壁与沟道接触面形成薄膜，作为栅阻挡介质；所述栅状空气沟道晶体管包括电极一（100）、介质层一（101）、电极二（200）、介质层二（201）、栅阻挡介质（202）、电极三（300）、基板（301）以及沟道（400），所述电极一（100）、介质层一（101）、电极二（200）、介质层二（201）、电极三（300）、基板（301）依次从上至下设置，所述沟道（400）贯穿所述电极一（100）、介质层一（101）、电极二（200）、介质层二（201），多个所述沟道（400）使各层薄膜形成栅状结构，所述栅阻挡介质（202）与所述电极二（200）位于同层。
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百度查询： 南通职业大学 一种栅状空气沟道晶体管及其制备方法
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