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电子电路装置的制造及其应用技术
  • 体声波滤波器及其制备方法、射频模组
    体声波滤波器及其制备方法、射频模组_甬江实验室_202411843927.1
    本申请公开了体声波滤波器及其制备方法、射频模组。体声波滤波器至少包括：衬底；第一膜层，第一膜层位于衬底的一侧，第一膜层包括第一区域以及环绕第一区域的第二区域，第二区域内具有环绕第一区域设置的感光干膜；压电薄膜，压电薄膜位于第一膜层远离衬底的...
    2025-05-15
  • 一种压电元件、压电振动器及其制作方法、电子设备
    一种压电元件、压电振动器及其制作方法、电子设备_京东方科技集团股份有限公司_202011335665.X
    本发明提供了一种压电元件、压电振动器及其制作方法、电子设备，涉及压电技术领域。本发明通过在第一电极上设置压电结构，并在压电结构上设置第二电极，且第二电极包括依次设置在压电结构上的导电层和抗氧化层，该导电层被配置为当压电元件发生击穿短路时，在...
    2025-05-15
  • 空腔型体声波谐振器及其制备方法
    空腔型体声波谐振器及其制备方法_福建晶旭半导体科技有限公司_202411869920.7
    本发明公开了一种空腔型体声波谐振器及其制备方法，涉及半导体射频器件领域。其中，制备方法包括以下步骤：(1)在临时衬底上形成压电层；(2)形成下电极层并图形化；(3)形成填充层并图形化，图形化后的下电极层的投影覆盖图形化后的填充层；(4)形成...
    2025-05-15
  • 声表面波滤波器封装结构及其制备方法、及相关设备
    声表面波滤波器封装结构及其制备方法、及相关设备_深圳新声半导体有限公司_202510440984.3
    本发明提供了一种声表面波滤波器封装结构及其制备方法、及相关设备，涉及半导体技术领域。在第一方向上叉指电极与承载基板之间具有的间隔区域即声表面波滤波器的空腔区域；焊盘结构在第一方向上分别与衬底以及承载基板接触，叉指电极以及焊盘主体结构位于第一...
    2025-05-15
  • 一种改进型多管并联结构双平衡混频器
    一种改进型多管并联结构双平衡混频器_成都嘉纳海威科技有限责任公司_202311745162.3
    本发明公开了一种改进型多管并联结构双平衡混频器，包括第一巴伦、二极管混频网络、第二巴伦以及输出匹配网络；第一巴伦和第二巴伦分别将射频信号和本振信号转化为平衡信号并输入至二极管混频网络中；二极管混频网络将平衡信号进行分路及合路处理后，通过与第...
    2025-05-15
  • 用于数字预失真的可配置非线性滤波器
    用于数字预失真的可配置非线性滤波器_亚德诺半导体国际无限责任公司_202111244192.7
    本公开涉及用于数字预失真的可配置非线性滤波器。本文的一些实施方案描述一种射频通信系统，可以包括输出射频(RF)发射信号的发射器，发射器包括对RF发射信号进行预失真的数字预失真系统(DPD)。DPD系统可以包括具有多行的可配置非线性滤波器，例...
    2025-05-15
  • 一种驱动器保护信号抗干扰电路
    一种驱动器保护信号抗干扰电路_浙江亿利达风机股份有限公司_202510059646.5
    本发明实施例中提供了一种驱动器保护信号抗干扰电路，属于信号电路技术领域，该电路包括：RC延时电路，由电阻R206和电容C161组成，用于对输入信号进行延时处理；干扰隔离电路，包含电阻R243、R205以及二极管D49；信号采集电路，由上拉电...
    2025-05-15
  • 可变增益放大器、矢量调制移相器及通信装置
    可变增益放大器、矢量调制移相器及通信装置_中国电子科技集团公司第十三研究所_202010062193.9
    本发明适用于集成电路设计技术领域，提供了一种可变增益放大器、矢量调制移相器及通信装置，上述可变增益放大器包括：第一负载模块、第二负载模块、第三负载模块及至少两个放大模块；所述第一负载模块的阻值和所述第二负载模块的阻值相同；所述放大模块包括：...
    2025-05-15
  • 低信噪比信号处理装置及其方法、介质
    低信噪比信号处理装置及其方法、介质_广东派捷智能装备有限公司_202510086005.9
    本发明提出了低信噪比信号处理装置及其方法、介质，低信噪比信号处理装置包括信号采集系统和信号处理系统，该低信噪比信号处理装置还包括信号累计滤波系统，连接于信号采集系统的输出端，包括：累计计数控制模块，用于获取计数值，叠加获取到的多个输入信号得...
    2025-05-15
  • 一种相位噪声及最大振荡频率可调环形振荡器及控制方法
    一种相位噪声及最大振荡频率可调环形振荡器及控制方法_博越微电子(江苏)有限公司_202510480042.8
    本发明的目的是提供一种相位噪声及最大振荡频率可调环形振荡器及控制方法，该振荡器包括：主通路和第三辅助通路；所述第三辅助通路与主通路连接，用于提升振荡频率；通过插入可调反相器，以实现在极端corner条件下环形振荡器频率不满足规定时，通过调整...
    2025-05-15
  • 一种高速且输出摆幅可调的SubLVDS发送端电路
    一种高速且输出摆幅可调的SubLVDS发送端电路_重庆邮电大学_202411928495.4
    本发明请求保护一种高速且输出摆幅可调的SubLVDS发送端电路，该电路包括控制电路、单端转差分电路、共模反馈电路、偏置电路和驱动器电路。其中，控制电路控制整体电路的启动和模式的切换，单端转差分电路用于将输入的单端信号转为差分信号，进一步输入...
    2025-05-15
  • 功率放大器的带软关断的过温保护
    功率放大器的带软关断的过温保护_派赛公司_202380067978.7
    提出了用于保护功率放大器(110)免受过温的各种方法和电路布置。根据一个方面，耦接至温度传感器(338)的保护电路控制到功率放大器(110)的偏置电流或电压，以在感测高限温度时限制通过功率放大器(110)的功率耗散，并且因此限制功率放大器(...
    2025-05-15
  • 一种共差模衰减可调的CM-DM集成型有源EMI滤波器
    一种共差模衰减可调的CM-DM集成型有源EMI滤波器_西安交通大学_202510078481.6
    本发明属于电力电子技术领域，涉及一种共差模衰减可调的CM‑DM集成型有源EMI滤波器，包括：第一噪声衰减电路、第二噪声衰减电路；第一噪声衰减电路和第二噪声衰减电路均由检测环节、放大环节和注入环节组成；本发明以负母线为参考，两个运算放大器使用...
    2025-05-15
  • 应用于超声波传感器的直接驱动器
    应用于超声波传感器的直接驱动器_浙江清华柔性电子技术研究院_202411916686.9
    本公开提供了一种应用于超声波传感器的直接驱动器，所述应用于超声波传感器的直接驱动器包括依次连接电平转换电路、控制电路、栅极驱动电路以及直接驱动电路；电平转换电路在接收到低电压逻辑控制信号时，输出用于符合所述直接驱动器工作电压的逻辑控制信号；...
    2025-05-15
  • 适用于扩跳体制抗脉冲干扰的自动增益控制方法及装置
    适用于扩跳体制抗脉冲干扰的自动增益控制方法及装置_北京融为科技有限公司_202411864256.7
    本发明提供一种适用于扩跳体制抗脉冲干扰的自动增益控制方法及装置，通过输入信号至可变增益放大器后，通过ADC进行采样得到采样信号；对采样信号进行脉冲干扰识别，得到不包含脉冲干扰的非脉冲信号；提取非脉冲信号的幅度，并确定幅度的预设点的平均值；结...
    2025-05-15
  • 谐振器及半导体器件
    谐振器及半导体器件_中国电子科技集团公司第十三研究所_201910080476.3
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器和半导体器件。该谐振器包括：衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体由所述衬底的上侧面和所述多...
    2025-05-15
  • 散热结构、带散热结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备
    散热结构、带散热结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备_天津大学_201811355040.2
    本发明涉及体声波谐振器，包括基底，具有第一与第二表面与通孔；声学镜；底电极，设置在基底上方；顶电极，与底电极对置；压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间；和散热结构。声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的...
    2025-05-15
  • 薄膜表声波谐振器及其制造方法
    薄膜表声波谐振器及其制造方法_中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司_202011280224.4
    本发明涉及一种薄膜表声波谐振器及其制造方法，其中，薄膜表声波谐振器包括：具有多个第一叉指的第一叉指电极、具有多个第二叉指的第二叉指电极，第一叉指与第二叉指间隔设置；第一连接线，至少位于第一叉指的其中一端，与第一叉指电连接；第二连接线，至少位...
    2025-05-15
  • 具有桥部插入结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备
    具有桥部插入结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备_天津大学_201911226741.0
    本发明涉及体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极；顶电极，与电极连接部相连，所述电极连接部形成桥部；压电层，其中：声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域；所述谐振器还包括桥部插入结构，所述桥部插入结构包...
    2025-05-15
  • 用于产生高频时钟的设备
    用于产生高频时钟的设备_艾尔默斯半导体欧洲股份公司_202410826887.3
    本发明涉及用于产生高频时钟303的设备，其包括控制器311、第一FLL或PLL调控环323、固定频率基准时钟振荡器1101、输入信号308、分频器比率计算器1110和测量设备509。第一FLL或PLL调控环323具有第一分频器520。固定频...
    2025-05-15
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