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电子电路装置的制造及其应用技术
  • 一种高稳定性的抗静电型核电桥架
    一种高稳定性的抗静电型核电桥架_有能集团江苏威同电气设备有限公司_202421651959.7
    本实用新型涉及核电桥架技术领域，且公开了一种高稳定性的抗静电型核电桥架，解决了现有的核电桥架稳定性和抗静电性能不好的问题，其包括桥架本体，所述桥架本体上穿插设置有加固组件，桥架本体的内侧壁设置有U型隔热防火内衬一，U型隔热防火内衬一的内部设...
    2025-07-10
  • 一种风光储协同的功率控制系统
    一种风光储协同的功率控制系统_北京国网电力技术股份有限公司_202510405745.4
    本发明涉及可再生能源利用技术领域，且公开了一种风光储协同的功率控制系统，包括风力发电模块、光伏发电模块、储能模块和控制模块，所述控制模块通过智能算法实时监测风光发电量及储能状态，动态调整各模块功率输出，确保系统稳定有效运行；所述风力发电模块...
    2025-07-10
  • 一种轻质化的铝合金电缆桥架
    一种轻质化的铝合金电缆桥架_镇江市神龙电器管件有限公司_202421967097.9
    本实用新型公开了一种轻质化的铝合金电缆桥架，涉及电缆桥架领域，包括侧面保护板，所述侧面保护板平行设置有两个，两个侧面保护板之间的两端均连接有固定板，所述两个侧面保护板相对一侧的中部开设有滑槽，两个滑槽之间滑动配合有调节板，所述调节板的顶端开...
    2025-07-10
  • D类功放控制电路及D类功放
    D类功放控制电路及D类功放_深圳市博益友光电科技有限公司_202422721077.X
    本实用新型属于D类功放技术领域，特别涉及一种D类功放控制电路及D类功放，包括输入单元、第一功放单元和第二功放单元，所述输入单元用于获取音频数据，将高频率的音频数据传输至所述第一功放单元，将低频率的音频数据传输至所述第二功放单元，其中，所述第...
    2025-07-10
  • 一种通信信息的抗攻击交织方法和装置
    一种通信信息的抗攻击交织方法和装置_中国人民解放军国防科技大学_202510726175.9
    本发明公开了一种通信信息的抗攻击交织方法和装置，所述方法包括：获取待传输信息序列；对所述待传输信息序列进行统计分析处理，得到统计信息集合；对待传输信息序列的通信信道进行探测建模处理，得到信道维度信息；对所述统计信息集合和信道维度信息进行交织...
    2025-07-10
  • 基于蚁群优化与混合高斯变换的无线信号盲均衡方法
    基于蚁群优化与混合高斯变换的无线信号盲均衡方法_湖南科技学院_202510418858.8
    本发明公开了一种基于蚁群优化与混合高斯变换的无线信号盲均衡方法，包括如下步骤：S1.采集无线通信系统中接收到的无线信号；S2.获得预处理无线信号；S3.提取并输出噪声分离结果和噪声分离后的无线信号；S4.初始化盲均衡器模型，并设定初始盲均衡...
    2025-07-10
  • 一种新型聚乙烯防水电缆护套管
    一种新型聚乙烯防水电缆护套管_广东恒塑科技有限公司_202421897104.2
    本实用新型涉及聚乙烯防水电缆技术领域，具体为一种新型聚乙烯防水电缆护套管，包括护套管本体，所述电缆本体与安装块的表面皆设置有方便连接机构，所述护套管本体的内部设置有耐酸碱机构，所述护套管本体与防水层的内壁皆设置有高耐热机构。本实用新型不仅使...
    2025-07-10
  • 半导体继电器和半导体继电器的制造方法
    半导体继电器和半导体继电器的制造方法_松下知识产权经营株式会社_202380077999.7
    半导体继电器(10)具备：输入端子(11a和11b)；输出端子(12a和12b)；半导体元件(20)，其根据提供到输入端子(11a和11b)之间的电信号将输出端子(12a和12b)之间导通和切断；以及电容元件(30)，其连接在输出端子(12...
    2025-07-10
  • 半导体器件以及制造半导体结构的方法
    半导体器件以及制造半导体结构的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202110594716.9
    一种半导体器件，包括：第一S/D布置，包括：对应有源区的具有硅化物夹置结构的硅化物夹置部分；对应金属至漏极/源极(MD)接触结构的第一部分；第一通孔至MD(VD)结构；以及第一掩埋通孔至源极/漏极(BVD)结构；栅极结构，位于该对应有源区的...
    2025-07-10
  • 一种医用MR设备数据传输放大器
    一种医用MR设备数据传输放大器_设维施医疗科技(广州)有限公司_202510224435.2
    本发明属于医疗电子学技术领域，公开了一种医用MR设备数据传输放大器，包括：射频放大器下层，所述射频放大器下层底端四角处均安装有滚轮，所述射频放大器下层一端面对称固定安装有两个固定散热结构，所述射频放大器下层顶端边部铰接安装有射频放大器上层，...
    2025-07-10
  • 一种基于矩阵匹配图的阻抗匹配的方法和系统
    一种基于矩阵匹配图的阻抗匹配的方法和系统_研微(江苏)半导体科技有限公司_202510123766.7
    本发明涉及半导体技术领域，更具体地说，涉及一种基于矩阵匹配图的阻抗匹配的方法和系统。本发明的方法包括以下步骤：启动射频电源，设置一匹配值作为初始点；配置以初始点为扫描起点的矩阵；启动矩阵扫描操作记录对应的反射功率和输出频率值作为对应矩阵位置...
    2025-07-10
  • 一种用于电化学测量分析的自适应滤波方法及系统
    一种用于电化学测量分析的自适应滤波方法及系统_中山大学_202510277277.7
    本申请公开了一种用于电化学测量分析的自适应滤波方法及系统，方法包括：获取电化学工作站的输入信号样本并输入至横向滤波器进行滤波处理，得到横向滤波器的输出信号样本；获取横向滤波器的输出信号样本与预设期望响应之差，得到估计误差；根据估计误差，通过...
    2025-07-10
  • 外壳及总线设备
    外壳及总线设备_上海同星智能科技有限公司_202422091684.2
    本实用新型属于总线设备技术领域，具体涉及一种外壳及总线设备，其中外壳包括：大体呈U型的第一壳体，其一侧设有母连接部，另一侧设有公连接部；第二壳体，与第一壳体结构相同，且所述第二壳体的公连接部适于插入并卡接于所述第一壳体的母连接部内，所述第一...
    2025-07-10
  • 射频调节结构
    射频调节结构_苏州立讯技术有限公司_202510376577.0
    一种射频调节结构包括调螺、盖板、底座和限位件。调螺包括帽盖部和位于帽盖部中轴处的光杆部，光杆部定义了竖直方向，帽盖部设有在竖直方向上螺旋环绕的第一内螺纹。盖板包括水平延伸的基板部和竖直延伸的柱体部，盖板具有贯通孔，贯通孔在竖直方向上自上而下...
    2025-07-10
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202110651854.6
    方法包括：提供具有第一半导体材料的衬底；创建覆盖衬底的nFET区域的掩模；蚀刻衬底的pFET区域以形成沟槽；在沟槽中外延生长第二半导体材料，其中，第二半导体材料与第一半导体材料不同；以及图案化nFET区域和pFET区域，以在nFET区域中产...
    2025-07-10
  • 一种基于TDC的两步式单斜率ADC电路、转换方法及应用
    一种基于TDC的两步式单斜率ADC电路、转换方法及应用_昆明物理研究所_202510333800.3
    本发明公开了一种基于TDC的两步式单斜率ADC电路、转换方法及应用，包括：第一步采用M位单斜率SS ADC，第二步精量化采用了高精度时间分辨率TDC，从粗量化到精量化的衔接上，通过残余时间检测模块提取残余时间给到TDC进行计数量化，构成两步...
    2025-07-10
  • 一种未知、非均匀、时变杂波环境下的多目标跟踪方法
    一种未知、非均匀、时变杂波环境下的多目标跟踪方法_哈尔滨工业大学_202510358977.9
    本发明提出了一种未知、非均匀、时变杂波环境下的多目标跟踪方法，通过自适应带宽的核密度估计(KDE)实时计算杂波密度，优化概率假设密度(PHD)滤波器的性能，包括初始化滤波器参数、预测目标状态、更新目标状态、修剪低权重目标及合并相近目标等步骤...
    2025-07-10
  • 一种用于PTC加热器的电路板及PTC加热器
    一种用于PTC加热器的电路板及PTC加热器_孝感华工高理电子有限公司_202422065209.8
    本实用新型涉及一种用于PTC加热器的电路板及PTC加热器，用于PTC加热器的电路板包括绝缘板和内嵌于所述绝缘板上的多个电极片，各所述电极片间隔设置，各所述电极片上均设有用于与PTC加热包电连接的卡接部，各所述电极片的一端连接有用于与PTC加...
    2025-07-10
  • 机箱装饰盖总成及电子电力设备
    机箱装饰盖总成及电子电力设备_厦门科华数能科技有限公司_202421535036.5
    本实用新型提供了一种机箱装饰盖总成及电子电力设备，包括装饰盖主体和调节主体；装饰盖主体后侧设有挂孔，能与机箱上的挂杆挂接；调节主体沿前后方向贯穿装饰盖主体，且与装饰盖主体活动连接，调节主体的前端设有调节部，调节主体的后端设有锁固部；锁固部具...
    2025-07-10
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202311844134.7
    一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；对衬底第一面进行第一离子注入形成初始第一埋层，初始第一埋层内具有第一埋层离子；对衬底第一面进行第二离子注入形成初始第二埋层结构，初始第二埋层结构内具有第二埋层离子，第二埋层离子小于第一埋层离子的相对...
    2025-07-10
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