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信息存储应用技术
  • 本发明涉及混合电容器技术领域,公开了一种卟啉有机分子复合正极材料,包括正极活性材料、卟啉衍生物、粘结剂和导电剂,其质量比依次为(79‑89):(1‑10):(5‑10):(5‑10);其制备方法为:将正极活性材料、卟啉衍生物、粘结剂和导电剂...
  • 本发明提供了一种碳纳米管接枝聚苯胺/石墨烯/碳布复合电极的制备方法。该方法包括以下步骤:首先,制备多孔泡沫石墨烯,通过氧化石墨烯的化学交联和还原处理,并引入磺酸基团以提高其亲水性和电化学活性;其次,通过氨水处理和表面改性制备氨基改性碳纳米管...
  • 本发明属于纳米材料领域,涉及一种分级核壳结构镍钴金属氢氧化物纳米片包覆氮掺杂碳纳米纤维膜及其制备方法和应用,本发明采用氮掺杂碳纳米纤维膜作为导电基底,在其表面生长分级核壳结构镍钴金属氢氧化物纳米片阵列,所述核壳结构是指纳米片上负载纳米片。制...
  • 提供了一种半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括:第一芯片,其包括单元区域和剩余区域,单元区域包括多个存储器单元;以及第二芯片,其包括对应于单元区域的核心区域和对应于剩余区域的外围区域,第一芯片和第二芯片沿着竖直方向重叠。核心电路设置在第...
  • 本公开提供一种存储器装置及其操作方法。存储器装置的操作方法包括:选择一目标存储器单元与至少一复制存储器单元,该至少一复制存储器单元跟该目标存储器单元属于同一存储器串;将写入该目标存储器单元内的一目标权重值复制到该至少另一复制存储器单元内,其...
  • 本申请公开了一种相变存储器及电子设备,该相变存储器包括比较器、第二开关、第三开关、依次连接的存储电路、选中数字线、第一开关以及未选中数字线,通过第一开关和第三开关在读取操作中设置未选中数字线的基准电压,基准电压与第二负电压正相关,第二负电压...
  • 本公开实施例提供一种存储器、存储系统和存储器的操作方法。该存储器包括:多个存储平面和耦接至所述存储平面的外围电路,所述外围电路包括:多个电荷泵,所述电荷泵具有时钟信号端、输入端和输出端;每一所述电荷泵的输出端耦接至多个所述存储平面中的一个所...
  • 本发明涉及二维碳片电极材料制备技术领域,公开了一种二维碳片及其制备方法和应用。该二维碳片含有片层结构,还含有掺杂元素Fe、B和N,其中,以所述二维碳片的总量为基准,所述掺杂元素Fe的含量为0.8‑3.5wt%,所述掺杂元素B的含量为5‑8....
  • 本发明提供一种多次可编程的非易失性存储结构、阵列及操作方法,多次可编程的非易失性存储结构,等效于控制电容与浮栅电容串联的结构,当在源线端SL与字线端WL施加电压,控制电容可以控制落在浮栅电容上的压降,从而实现对浮栅电极电压的控制,当压降满足...
  • 本文描述了基于约瑟夫森结的存储器器件及其使用方法。基于约瑟夫森结的存储器器件的示例包括多个超导回路。每个超导回路包括至少一个约瑟夫森结。该多个超导回路是电耦合的。该多个超导回路包括多个输入回路、多个读出回路以及至少一个共享回路。该多个超导回...
  • 公开了读取偏移补偿器、存储器装置以及用于存储器装置的偏移参考电阻补偿方法。所述方法可包括:搜索从存储器装置的存储器单元阵列输出的输出数据的失败位的数量;确定粗略偏移参考电阻;基于粗略偏移参考电阻在第一参考电阻范围内搜索第一输出数据的失败位的...
  • 本申请针对用于存储器感测的快速激活。可在存储器装置处配置一种操作模式,所述操作模式与相对于另一操作模式具有减小的持续时间的命令序列相关联。可基于确定测试程序不试图保持或独立于保持所存取的存储器单元的逻辑状态以及其它条件来配置所述操作模式。当...
  • 本发明涉及二维碳片电极材料制备技术领域,公开了一种二维碳片,其中,该二维碳片含有片层结构、掺杂元素N和氧元素,其中,掺杂元素N原子数占总原子数的百分比为4.5‑8.8%,氧元素的原子数占总原子数的百分比为12%以上。本发明所述二维碳片的片层...
  • 本发明实施例公开了一种固态硬盘读写性能自检方法、装置、设备及介质,涉及固态硬盘测试技术领域。所述方法包括:若接收到主机发送的测试命令,对所述固态硬盘的nand flash进行读写性能测试,以及在所述固态硬盘与所述主机之间进行PCIE通信测试...
  • 本发明公开了霍尔感应技术领域的一种通过霍尔感应实现信息交互的转轮装置,包括转盘、磁铁装置、霍尔探头装置,所述磁铁装置固定连接在所述转盘的顶部,所述霍尔探头装置固定连接在所述转盘的底部,所述转盘包括第一象限、第二象限、第三象限、第四象限、第五...
  • 本发明涉及简单网络管理协议扩展内存ECC报错的监控方法及系统。其中的方法包括:服务器初始化启动SNMP;对主节点进行轮询和采集;进行在线的统计与分析,其中包括:进行数据的接收和处理,通过健康分级算法,对每台服务器进行健康评分,并基于单比特错...
  • 一种存储器件包括:存储单元阵列,包括多个存储单元;以及页缓冲器电路,包括通过多条位线分别耦接到多个存储单元的多个页缓冲器。多个页缓冲器中的每个页缓冲器包括:第一晶体管,基于第一控制信号将多条位线中的对应位线耦接到第一节点;第二晶体管,将第一...
  • 本申请属于叶片上气膜孔检测技术领域,具体涉及一种叶片上气膜孔检测装置,包括:底座;工作台,连接在底座上,能够在底座上沿第一方向滑动;支架,连接在底座上;滑块,连接在支架上,能够在支架上沿第二方向滑动;伸缩臂,连接在滑块上,能够沿第三方向伸缩...
  • 本发明涉及一种高性能复合电极的制备方法及其用途。包括以下步骤:首先,通过真空抽滤及等离子体表面改性技术制备分散性优良的表面改性碳纳米管;其次,利用化学反应结合高温氮气处理制备高导电性、高电化学活性的氮掺杂石墨烯;然后采用交替喷涂法,将上述两...
  • 本发明涉及自动化控制技术领域,具体为一种伺服位置判断与报警处理方法及系统。处理方法包括:设定多个目标位置的数组(SetPos[n]),n为多个目标位置的编号;实时记录伺服当前位置(CurrentPos);在设备运行过程中,持续监测伺服当前位...
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