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信息存储应用技术
  • 一种计算存储器单元和处理阵列具有无比写入端口,使得到所述存储器单元的写入不需要克服PMOS晶体管的驱动强度,所述PMOS晶体管是所述存储器单元的存储单元的部分。所述计算存储器单元还可具有带隔离电路的第二读取端口。
  • 本公开的实施例涉及用于在存储器库处本地生成刷新地址的设备和方法。所述存储器库可包含库逻辑电路或与所述库逻辑电路相关联,所述库逻辑电路锁存来自用于刷新操作的第一泵的全局行地址总线的初始刷新地址。然后,所述库逻辑电路更新所接收的锁存的刷新地址,...
  • 本发明提供一种冗余电路、冗余地址访问电路及访问方法,冗余电路包括熔断使能产生模块和地址熔断模块;熔断使能产生模块基于输入地址,产生熔断使能信号并输入地址熔断模块,地址熔断模块包括多个单元;熔断使能产生模块被配置为:在输入地址不属于特征地址时...
  • 本发明的实施方式涉及盘装置以及电子设备。盘装置具备壳体、盘状的记录介质、磁头、内部无线通信装置以及内部部件。壳体在内部设置有收纳空间。记录介质收纳于收纳空间,并具有记录层。磁头收纳于收纳空间,构成为相对于上述记录介质读写信息。上述内部无线通...
  • 本发明的实施例提供一种磁性隧道结(MTJ)结构。该MTJ结构包括MTJ堆叠,该MTJ堆叠包括参考层上的隧道势垒层及隧道势垒层上的自由层,其中自由层包括多个子自由层,多个子自由层为彼此平行地放置在所述隧道势垒层上的多个铁磁条,多个铁磁条具有连...
  • 本发明公开了一种基于极性加固技术的14T抗辐照SRAM存储电路,包括六个NMOS晶体管和八个PMOS晶体管,六个NMOS晶体管依次记为N1~N6,八个PMOS晶体管依次记为P1~P8,PMOS晶体管P3和P4交叉耦合,PMOS晶体管P1、P...
  • 本发明提供一种存储器控制器。存储器控制器适用于伪静态随机存取存储器。存储器控制器包括模式寄存器、模式寄存器写入控制器以及延迟控制器。模式寄存器用以依据写入指示信号以产生延迟控制信号。模式寄存器写入控制器用以在模式寄存器写入动作中产生写入指示...
  • 本发明提供了一种DRAM的刷新周期检测方法、装置、设备、计算机可读介质和程序产品,该方法包括分配预设容量的缓冲区用于刷新周期检测;将测试数据遍历到缓冲区后,在初始刷新周期内持续读取数据;记录每次刷新周期以及检查读取的数据是否完整;响应于刷新...
  • 本申请实施例提供了一种固态存储器的数据读取和装置、存储介质及电子设备,其中,该固态存储器的数据读取方法包括:获取携带有数据属性信息的数据读取指令;其中,数据读取指令用于从固态存储器的存储单元中读取与数据属性信息匹配的匹配数据;基于设定的初始...
  • 本实用新型公开了一种超级电容中转站,涉及超级电容技术领域,该超级电容中转站,通过设置散热组件一和散热组件二,活塞、活塞杆、配重块以及滑杆、弹性件构成的动力组件能够在三轮车行驶在颠簸路面时发生同频震动,动力组件能够利用纵向方向上的同频震动达到...
  • 一种存储器件,包括:多个核管芯,其中,多个核管芯中的每个核管芯包括多个通道区域,所述多个通道区域包括多个存储体阵列,并且其中,多个核管芯堆叠在竖直方向上;以及逻辑管芯,在多个核管芯下方,其中,逻辑管芯包括存储器控制器和至少一个温度传感器,且...
  • 本申请实施例提供一种存储器装置及其操作方法、存储器系统以及感测电路。其中,存储器装置包括:存储器单元阵列;第一感测电路,通过第一数据线对耦合至存储器单元阵列;第二感测电路,通过第二数据线对耦合至第一数据线对;隔离电路,位于第一数据线对和第二...
  • 本申请实施例提供一种控制电路和存储器,控制电路包括:外部数据线,用于接收原始数据和原始ECC校验码;第一校验模块,用于在数据传输发生错误,根据原始ECC校验码进行检错和/或纠错,并输出纠正后的数据和纠正后的ECC校验码;比较模块,用于逐位检...
  • 本发明公开了延迟锁定回路电路,包含一延迟电路,一第一相位检测器,一第二相位检测器以及一计数控制电路,延迟电路用以延迟一参考时钟信号以输出一延迟时钟信号;第一相位检测器用以产生一相位差信号;第二相位检测器用以产生一判断信号;计数控制电路依据相...
  • 本发明涉及一种碳化钛薄膜材料、制备方法及锌离子混合电容器,所述碳化钛薄膜材料的制备方法,包括如下步骤:将碳化钛纳米片和铵盐的水溶液混合后,超声处理,再固液分离,取上层液体获得插层的碳化钛纳米胶体;向所述插层的碳化钛纳米胶体中加入水溶性盐,反...
  • 本文提供了一种操作存储器装置的方法。该操作存储器装置的方法可包括以下步骤:对与第一选择线对应的第一插塞的第一沟道和与第二选择线对应的第二插塞的第二沟道进行预充电;将编程使能电压和编程禁止电压中的一个施加到第一沟道;将编程使能电压和编程禁止电...
  • 本发明涉及碳材料电化学储能领域,具体涉及一种用于超级电容器的磷掺杂橘子皮基碳材料及其制备方法。将橘子皮材料作为磷掺杂多孔碳的原材料,通过水热掺杂和化学活化之后得到的橘子皮多孔碳的比表面积为1000~1800m2/g,作...
  • 本发明公开了一种植物梗/木质素复合多孔碳及其制备与在锌离子超级电容器中的应用。本发明分别对植物梗和木质素进行氨基化改性,再加入戊二醛进行交联;然后加入乙酸锌溶液,原位生成碳酸锌/植物梗/木质素复合物;最后经过高温碳化制备得到氮氧掺杂的木质素...
  • 本发明提供了一种柔性超级电容器,包括:具有相互连接的导电网络的石墨烯‑聚酰亚胺复合电极、凝胶电解质和柔性封装层。本发明解决了现有柔性超级电容器在反复弯曲、折叠或拉伸下性能下降以及热稳定性不足的问题,实现了高性能、高灵活性和高热稳定性的柔性超...
  • 本发明涉及一种利用{Mo132}多酸团簇与还原氧化石墨烯复合气凝胶({Mo132}/rGA)的制备方法,属于电极材料技术领域。该{Mo132}/rGA‑6在1A/g电流密度下...
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