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信息存储应用技术
  • 本发明提供一种静态随机存取存储器的自动控制电路及其控制方法。自动控制电路包括读写时机调整电路以及功耗调整电路。读写时机调整电路依据温度感测信号、读写状态信号以及读写时机查找表调整静态随机存取存储器的读写时机,功耗调整电路依据功耗模式指示信号...
  • 本发明涉及静态随机存取存储器技术领域,具体提供了一种9T‑SRAM单元、数据存取方法及芯片,该9T‑SRAM单元包括七个NMOS管和两个PMOS管,通过调整字线WL、使能节点EN、读字线RWL、第一位线BL、第二位线BLB的电平状态可以进行...
  • 本申请涉及具有用于乘法的经接合集成电路裸片的存储器装置。系统、方法及设备与使用存储器胞元执行乘法的存储器装置相关。在一个方法中,第一集成电路裸片具有存储器胞元阵列。所述存储器胞元阵列包含可编程为存储权重的存储器胞元(例如,表示神经网络的突触...
  • 本发明揭示用于半导体存储器中的时钟调平的设备及方法。在实例设备中,延时控制电路经配置以在第一及第二模式中基于延时信息及系统时钟提供具有一时序的有效第一控制信号。时钟调平控制电路经配置以响应于有效第一控制信号在第一时钟的时钟转变处而在所述第一...
  • 数据存储电路具有条目以根据支持非破坏性读取的数据存储技术存储数据,每个条目与错误校验码(ECC)和龄期指示相关联。刷洗电路进行巡逻刷洗循环以在刷洗周期内拜访该数据存储电路的每个条目。在对给定条目的给定拜访时,刷洗操作包括基于与该给定条目相关...
  • 本申请提供一种存储器,包括:多个数据输入输出引脚和数据输入输出选择器,其中一个数据输入输出引脚为目标数据输入输出引脚,目标数据输入输出引脚用于在存储器处于测试状态时接收测试串行数据。数据输入输出选择器的第一输入端接收测试串行数据,第一控制端...
  • 提供具有存储器元件的集成电路。存储器元件可包括以背靠背式配置或排队式配置耦合在一起的非易失性电阻元件。可在电阻元件上执行擦除、编程以及加裕度操作。每个电阻存储器元件可接收阳极端子或阴极端子上的正电压、地电压或负电压。
  • 本申请案是针对用于存储器装置的读取算法。在执行读取操作时,所述存储器装置可存取存储器单元以检索由所述存储器单元存储的值。所述存储器装置可基于存取所述存储器单元而将一组参考电压与由所述存储器单元输出的信号进行比较。因此,所述存储器装置可确定由...
  • 本发明提供用来自我校正而不短路接收器的差动输入端的方法及设备,自我校正包含:将载有预定数据模式的输入信号输入至多个接收器;对该多个接收器所接收的输入信号进行数据眼宽测量以取得分别对应于第一及第二数据字节的多个第一数据眼宽与多个第二数据眼宽;...
  • 本发明涉及与使用存储器胞元的逻辑状态执行乘法的存储器装置相关的系统、方法及设备。在一种方法中,存储器胞元阵列具有各自经编程以存储多位权值的一个位的存储器胞元。电压驱动器在乘法期间将不同电压施加于所述存储器胞元。所述不同电压的量值对应于由所述...
  • 提供了存储器设备和包括存储器设备的存储器系统。存储器设备包括:包括多个存储器单元的存储器单元阵列;以及配置为控制对存储器单元阵列的写入操作的控制逻辑。当在第一数据比较写入(DCW)模式下操作时,将数据写入数据值改变的第一存储器单元,在第一区...
  • 本发明公开了一种具有埋栅以及复合介质栅结构的三晶体管存储器及其读出与写入方法、存算阵列,属于半导体技术领域。该三晶体管存储器在现有复合介质栅双晶体管光敏探测器的基础上增设了埋栅结构形成三晶体管结构,通过埋栅结构控制向存储器件擦写权值,并用电...
  • 提供了一种存储器,该存储器被配置为实施正常读取操作并且还实施突发模式读取操作。列多路复用器使用针对每个列的一对传输晶体管,从多个列中进行选择。列多路复用器驱动输出数据锁存器的真实输入节点和补码输入节点。
  • 本公开涉及一种包括感测放大器的存储器设备,其中所述放大器包括第一反相器,其中所述反相器的输入及输出耦合到第一晶体管,所述第一晶体管被配置为在存储器单元的预充电步骤期间接通。
  • 本发明属于新能源电子材料技术领域,具体涉及一种生物质纳米纤维素基多孔碳材料及其制备方法与应用。将氯化锌水溶液与生物质纳米纤维素悬浮液混合均匀,经过冷冻干燥、热解处理,即得所述生物质纳米纤维素基多孔碳材料。该多孔碳材料具有成本低廉、制备方法简...
  • 本发明提供了一种电容器用正极片、其制备方法及超薄超级电容器,所述电容器用正极片包括第一活性物质层,所述第一活性物质层包括正极活性材料、碳电极材料、正极导电剂与正极粘结剂。本发明提高了电容器的比能量,保证长续航能力,还实现了终端产品的小型化与...
  • 本发明公开了一种基于自旋轨道耦合的感存算一体结构及其操作方法,其结构包括:衬底以及形成于衬底上的功能层,功能层包括依次堆叠于衬底上的SOT感应层、绝缘层和磁场生成层,且划分为N个功能区,N≥1,在每个功能区中:磁场生成层形成有电流支路,用于...
  • 本发明涉及一种减少铁电存储器印记的写入方法,其中每个写入周期包括第一时间段和第二时间段,该方法包括下列步骤:在第一时间段,控制板线和位线的电平,使得给铁电存储器的铁电存储单元的铁电电容施加第一电场;以及在第二时间段,控制板线和位线的电平,使...
  • 提供了一种半导体单元架构,所述半导体单元架构包括多个单元、多个背侧电源轨和多条金属线,其中,背侧电源轨在单元长度方向上延伸,并且在平面图中,至少一个背侧电源轨与至少一个单元的内部区域竖直叠置,而与至少一个单元的下边界或上边界不竖直叠置。
  • 本发明公开了一种皮带秤,输送带绕设在两带轮上,并形成两个分层设置且传动方向相反的上侧带和下侧带,传动电机驱动一带轮转动,称重轮安装在称重传感器上并与上侧带的下端面相接触,测速轮转动连接在机架上并与下侧带的上端面相接触,测速轮与传动电机相连并...
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