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信息存储应用技术
  • 本实用新型提供了一种双极性结构的电容器,所述电容器包括壳体,壳体内设置有集流体组件,集流体组件包括依次层叠设置的第一双极性集流体、至少一层第一电极层、至少一个第二双极性集流体、第二电极层和第三双极性集流体,每个第一电极层之间设置有一个第二双...
  • 本发明公开了一种双网络梯度结构储能设备隔膜及其制备方法和应用。所述双网络梯度结构储能设备隔膜包括:再生纤维素基底框架;聚N‑异丙基丙烯酰胺,其与所述再生纤维素基底框架交织在一起并形成双网络结构。本发明通过聚(N‑异丙基丙烯酰胺)梯度结构与再...
  • 本申请提供一种存储器系统,包括:存储器装置,包括联接在多条字线和多条位线之间的多个存储器单元、以及联接到位线的多个锁存器,并且被配置为:在编程操作期间,将存储在锁存器中的输入数据编程到选定字线的存储器单元中,并且在用于暂停编程操作的编程暂停...
  • 本发明涉及电气设备技术领域,且公开了一种便于分离装配的电能表,包括安装板、电能表本体以及电缆,电缆端部设置为裸露的导电丝,安装板外侧安装有用于壳体,电能表本体内侧设置有丝杆,丝杆外侧螺纹连接有丝套,丝套外侧安装有用于夹持导电丝的夹片,电能表...
  • 本实用新型公开了一种传感器便捷安装结构,包括安装架,所述安装架的外表面滑动连接有滑动套,所述滑动套的下表面固定连接有连接球,所述连接球的外表面嵌套连接有球形套,本实用新型中,可手动调节球形套和连接球的相对角度,并在调节之后旋转三号锁紧螺栓,...
  • 本发明涉及超级电容器电极材料制备技术领域,具体涉及的是一种超级电容器复合电极材料、制备方法及电极系统。该方法首先制备Mxene分散液和多面体前驱体Co‑MOF,然后利用Co‑MOF制备MXene@Co‑MOF复合膜,再将该复合膜制备MXen...
  • 一种闪存读取纠错方法、固态存储设备以及固件程序产品,能够在实现数据压缩的同时实现基于重读动作的纠错。闪存读取纠错方法包括:通过ECC电路对基于缺省读取电压从闪存单元读取出的用户数据进行纠错;以及在所述用户数据的出错位的位数超过规定位数的情况...
  • 本发明专利公开了一种锂离子电化学混合电容器的制备方法,具体涉及锂离子电容器领域。步骤如下:将埃洛石加入至硫酸溶液中进行酸蚀,并离心洗涤至中性后干燥;将草酸和V2O5溶解于去离子水中,搅拌至蓝色溶液...
  • 本发明公开了一种Mo掺杂MnO2电极材料的方法及储铵材料。以碳布为基底,采用水热法,制备了Mo6+掺杂的MnO2电极材料。Mo6+促进电解液中H
  • 本申请提供了一种滑坡表面形变监测方法、系统、设备以及介质,滑坡监测技术领域,本申请首先确定目标滑坡的边界,并在滑坡边界外布设第一标识点、边界内布设带编号的第二标识点;然后基于第一标识点设置多条无人机巡回路径,采集目标滑坡的多张图像并计算每个...
  • 本发明公开了一种基于光纤生产的光纤宏弯测试装置及方法,涉及光纤测试技术领域,待测试光纤的一端配置用于光信号输入的光源,光源作为光信号输入设备提供恒定强度和波长的光信号,光纤另一端配置接收并测量光纤传输光信号的检测器,牵引头,内部配置多个可夹...
  • 本公开内容涉及用于生成计算系统的一个或多个部分的图形表示的计算设备和方法。计算设备可以包括计算处理器和存储器,并且被配置为访问标识计算系统的分区的配置信息,其中计算系统包括晶片上系统(SoW)的阵列,并且SoW的阵列的每个SoW包括管芯的阵...
  • 公开了一种储存设备,包括:非易失性存储器器件,包括存储器块和存储器控制器。存储器块包括与第一字线连接的第一存储器区域和与第二字线连接的第二存储器区域。存储器控制器基于第一存储器区域的第一读取电压设置读取块电压。存储器控制器基于变化信息和读取...
  • 公开一种电阻存储器设备和操作电阻存储器设备的方法。在实施例中,电阻存储器设备可包括存储器单元,所述存储器单元包括至少两个晶体管和电阻元件。所述电阻存储器设备还可包括:位线,通过所述位线与所述存储器单元交换数据,其中所述位线以电子方式与所述存...
  • 芯片形式超级电容器。公开一种适合于使用焊料回流工艺安装在印刷电路板上的储能设备。在一些实施例中,所述设备包括:密封的壳主体(例如,其上附接有盖的下主体),所述密封的壳主体包括设置在所述主体内的正极内部接触件和负极内部接触件(例如,金属接触垫...
  • 本申请涉及仿真测试技术领域,提供了一种测试方法及测试平台。该测试平台包括软件驱动模块、软硬件接口模块、待测硬件模块和存储模型,软件驱动模块通过软硬件接口模块分别与待测硬件模块和存储模型连接,软件驱动模块通过软硬件接口模块将目标测试参数写入待...
  • 本公开提出一种存内计算(IMC)存储器装置及存内计算方法。IMC存储器装置的多个运算存储单元与多个平衡运算存储单元组成多个存储单元串。在进行编程时,依据该存储单元串内的这些运算存储单元的一第一阻抗状态个数而决定该存储单元串的这些平衡运算存储...
  • 本说明书实施例提供一种全光磁记录装置及方法,应用于磁性存储技术领域。所述全光磁记录装置包括:信息读取模块、信息写入模块和存储介质;所述信息读取模块包括磁阻传感器;所述磁阻传感器用于获取存储介质上的目标存储单元的回读信息;所述信息写入模块包括...
  • 本申请涉及一种微型电脑系统性能测试评估方法、装置、设备及介质,一种微型电脑系统性能测试评估方法包括若检测到微型电脑系统的关键事件已经发生,则根据关键事件执行对应的测试循环操作;基于测试循环操作中的每次测试结果,转化并生成统一格式化的实时日志...
  • 本发明涉及一种四核银簇修饰具有多活性位点的硅钨酸晶体材料。本发明的目的是要解决一些多酸基晶体材料作为超级电容器电极材料在溶液中稳定性差,导电性能不高的问题,提供一种可以提高多酸类材料电容性能,并作为超级电容器电极材料。本发明的一种四核银簇修...
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