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最新专利技术
  • 芯片及电机驱动系统、电动阀
    芯片及电机驱动系统、电动阀_浙江三花汽车零部件有限公司_202311844967.3
    本申请实施例提供了一种芯片及电机驱动系统、电动阀，该芯片包括第一基板、固定于第一基板第一侧的第一外围器件和至少具有所述通信模块、所述信号处理模块和所述驱动模块三个模块中一个模块的功能的第一晶圆结构以及封装第一外围器件和第一晶圆结构的第一封装...
    2025-07-12
  • 含有电池的带盖电子封装
    含有电池的带盖电子封装_恩智浦美国有限公司_202311839389.4
    本公开涉及含有电池的带盖电子封装。具有电池的电子封装以及用于生产所述电子封装的方法使用圆顶盖，所述圆顶盖附接到具有例如裸片的电子组件的衬底。所述电池附接到所述圆顶盖的内表面并且经由所述圆顶盖电连接到所述电子组件。
    2025-07-12
  • 芯片封装结构及电子设备
    芯片封装结构及电子设备_华润微电子(重庆)有限公司_202311848605.1
    本申请涉及一种芯片封装结构及电子设备。该芯片封装结构包括载板，以及于载板上依次堆叠的第一功率芯片、双面基板和第二功率芯片；第一功率芯片和第二功率芯片在双面基板上的正投影与双面基板的边缘之间均具有间距；第一功率芯片倒装于双面基板的背面，包括第...
    2025-07-12
  • 一种三维存储器和电子设备
    一种三维存储器和电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202311868944.6
    本公开实施例提供了一种三维存储器和电子设备，该三维存储器包括沿第三方向排列的第一芯片和第二芯片，第一芯片包括存储阵列区和非存储阵列区，第二芯片包括控制器件区域；控制器件区域沿第三方向的投影覆盖非存储阵列区；第一芯片的非存储阵列区包括多个垂直...
    2025-07-12
  • 芯片封装结构
    芯片封装结构_西安格易安创集成电路有限公司_202410308969.9
    本发明提供一种芯片封装结构。所述芯片封装结构包括：裸片，包括第一内部导线以及位于裸片表面的第一接入焊盘和多个功能焊盘，裸片具有相邻的第一侧边和第二侧边，第一接入焊盘设置在第一侧边，第一侧边和第二侧边均设置有功能焊盘，第一接入焊盘和第一侧边的...
    2025-07-12
  • 混合球/凸块和线接合件半导体装置封装
    混合球/凸块和线接合件半导体装置封装_恩智浦美国有限公司_202311841888.7
    本公开涉及混合球/凸块和线接合件半导体装置封装。公开一种封装半导体装置，包括：半导体管芯，所述半导体管芯具有接触衬垫阵列，所述接触衬垫阵列在所述半导体管芯的第一主表面的中心区中且用于接触焊球阵列；包封物，所述包封物部分地包封所述半导体管芯且...
    2025-07-12
  • 散热器及使用此散热器的浸没槽
    散热器及使用此散热器的浸没槽_财团法人工业技术研究院_202311841731.4
    本发明提供一种散热器及使用此散热器的浸没槽。浸没槽包括第一冷凝槽以及散热器。多个机板及第一工作流体位于第一冷凝槽中。散热器包括冷凝组件以及多个热交换组件。冷凝组件沿着第一方向组装于第一冷凝槽之外，其中冷凝组件具有第二冷凝槽，且第二工作流体流...
    2025-07-12
  • 芯片及其制法以及具有该芯片之半导体封装件
    芯片及其制法以及具有该芯片之半导体封装件_华泰电子股份有限公司_202311874133.7
    本发明之芯片包含：顶面；复数侧面；底面，连接该复数侧面；线路层，形成于该底面上；以及平台，围绕该顶面且平行于该顶面与该底面，该平台至该底面的距离小于该顶面至该底面的距离，该平台与该复数侧面垂直连接。本发明另提供一种制造上述芯片的方法以及具有...
    2025-07-12
  • 半导体模块及其制备方法、半导体组件
    半导体模块及其制备方法、半导体组件_华润润安科技(重庆)有限公司_202311844895.2
    本申请提供一种半导体模块及其制备方法、半导体组件。半导体模块包括壳体和半导体结构。壳体包括底壁和侧壁，侧壁和底壁围合成容设槽；侧壁包括第一、二段侧壁及台阶壁；第一段侧壁的正投影位于第二段侧壁的正投影内；容设槽包括第一段侧壁和底壁围合的第一槽...
    2025-07-12
  • 功率组件及电机控制器
    功率组件及电机控制器_华为数字能源技术有限公司_202311836128.7
    本申请提供一种功率组件及电机控制器，功率组件包括功率模组、散热器与绝缘件，功率模组包括引出端子，绝缘件设置于散热器朝向功率模组一侧的表面，在功率组件的厚度方向上，绝缘件的投影覆盖引出端子在散热器上的投影；将绝缘件在功率组件厚度方向上的投影覆...
    2025-07-12
  • 一种加热装置及半导体处理设备
    一种加热装置及半导体处理设备_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311842154.0
    本发明公开一种加热装置及半导体处理设备。加热装置安装在盖板上，包括光投射部件和光偏转器，所述光投射部件固定安装在所述盖板上，并向所述盖板的方向发射投射光，所述光偏转器安装在所述投射光的光路上，以使所述投射光的方向发生偏转，所述光偏转器可旋转...
    2025-07-12
  • 集成电路封装检验治具
    集成电路封装检验治具_贵州中芯微电子科技有限公司_202311832523.8
    本发明公开集成电路封装检验治具，涉及封装治具领域。该集成电路封装检验治具包括底座主体，所述底座主体上设有采集装置，所述采集装置上连接有数据分析装置。该集成电路封装检验治具在使用时首先将原料放置在治具主体的内部并进行压料封装，压料封装过程中，...
    2025-07-12
  • 晶圆厚度量测的抽样方法、计算机设备及可读存储介质
    晶圆厚度量测的抽样方法、计算机设备及可读存储介质_无锡华润上华科技有限公司_202311855748.5
    本发明涉及一种晶圆厚度量测的抽样方法、计算机设备及可读存储介质，所述方法包括：确定各晶圆在目标工艺中由哪个工艺腔体处理，得到晶圆与工艺腔体的对应信息；根据所述对应信息，使目标晶圆厚度量测站点在每个预设测试周期内量测的晶圆涵盖所述目标工艺中所...
    2025-07-12
  • 硅片金属污染检测方法
    硅片金属污染检测方法_华润微电子(重庆)有限公司_202311847942.9
    本发明涉及一种硅片金属污染检测方法，包括以下步骤：提供待测硅片，待测硅片具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面具有污染中心；构建公式一，公式一用于反映待测硅片第一表面任意位置与待测硅片污染中心的金属元素含量的关系；确定待测硅片污染中心的...
    2025-07-12
  • 一种IGCT器件用的门极钼环加工方法
    一种IGCT器件用的门极钼环加工方法_江苏时代华宜电子科技有限公司_202311849271.X
    本发明涉及门极钼环加工技术领域，公开了一种IGCT器件用的门极钼环加工方法，依次对钼环进行一次减薄、车削、二次减薄、制作外圆倒角、激光切割制作内孔、线切割制作内孔、镗孔制作内孔、精加工制作内孔和三次减薄；在实际使用时，本发明通过激光切割方式...
    2025-07-12
  • 封装载板的制造方法
    封装载板的制造方法_恒劲科技股份有限公司_202311839351.7
    本发明涉及一种封装载板的制造方法，主要是利用将二片金属片以黏着材相互黏着结合，以形成一具有足够刚性的线路基材板，借此除了可以免除使用承载板以节约生产成本之外，更可于该线路基材板的二侧同步进行图案化显影、蚀刻、RCC压膜(背胶铜箔Resin ...
    2025-07-12
  • 一种用于键合切线深度的优化方法及键合结构
    一种用于键合切线深度的优化方法及键合结构_无锡骄成智能科技有限公司_202311832003.7
    本发明属于半导体键合技术领域，具体涉及一种用于键合切线深度的优化方法及键合结构，所述方法包括以下步骤：S1、获取键合线的线径，根据线径计算标定切线深度；S2、通过控制切刀对键合线进行预切割，并获取标定感应电压；S3、通过控制切刀依次对不同焊...
    2025-07-12
  • 一种封装基板结构及其制备方法
    一种封装基板结构及其制备方法_上海美维科技有限公司_202311828696.2
    本发明提供一种封装基板结构及其制备方法，方法包括：载体衬底上设置图形化的互连层，互连层上设置无机材料层与连接结构表面齐平；互连层和无机材料层构成包括相对的第一表面和第二表面的芯板层；去除载体衬底；第一表面和第二表面设置图形化的包括贯通介质增...
    2025-07-12
  • 一种用于晶圆处理装置的加热器及其制造方法和等离子处理装置
    一种用于晶圆处理装置的加热器及其制造方法和等离子处理装置_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311844437.9
    本发明公开一种加热器结构和加热器制造方法。本发明加热器在制造过程中利用加热层形成步骤和加热层打磨步骤的循环，多次循环直到形成具有目标厚度的加热层，在反复打磨和形成步骤中将加热器层上表面的气孔填充。最终使得本发明方法制造的加热层具有表面平整度...
    2025-07-12
  • 真空电子器件
    真空电子器件_华为技术有限公司_202311853049.7
    本申请提供了一种真空电子器件，采用两组互相对称的平面电路构成的平面化扩展互作用谐振腔作为换能结构的扩展互作用速调管放大器。该放大器结合了速调管和行波管换能结构各自的优势，在面向中小功率情况下具有稳定性(单向性)、平面化和小型化的特点。
    2025-07-12
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